• SMBT3946DW1T1G Array de transistors bipolaires NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW
SMBT3946DW1T1G Array de transistors bipolaires NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW

SMBT3946DW1T1G Array de transistors bipolaires NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre de personnes concernées par le traitement est déterminé en fonction de l'indicateur de ris

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Type de transistor: NPN, PNP Actuel - collecteur (IC) (maximum): 200 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 40V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: Pour les appareils à haute tension, la valeur de l'indicateur doit être égale ou supérieure à:
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 100 @ 10mA, 1V Puissance maximale: 150mW

Description de produit

SMBT3946DW1T1G Array de transistors bipolaires NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW
 
Les spécifications de Le nombre de personnes concernées par le traitement est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Arrays de transistors bipolaires
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Statut du produit Actif
Type de transistor NPN, PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 200 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 40 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic Pour les appareils à haute tension, la valeur de l'indicateur doit être égale ou supérieure à:
Courant - Coupe du collecteur (maximum) -
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10 mA, 1 V
Puissance maximale 150 mW
Fréquence - Transition 300 MHz, 250 MHz
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre d'accueil respectent les règles en vigueur en ce qui concerne l'accès aux données.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments.
Numéro du produit de base Le nombre d'heures de travail

 
Caractéristiquesde
Le nombre de personnes concernées par le traitement est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.

• hFE, 100 à 300
• faible VCE (sat), ≤ 0,4 V
• Simplifie la conception des circuits
• Réduit l'espace du conseil
• Réduit le nombre de composants
• S Préfixe pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques de changement de site et de commande; AEC-Q101 Qualifié et PPAP
• Ces dispositifs sont exempts de Pb, d'halogène/de BFR et sont conformes à la norme RoHS.
 
Des descriptions de 
Le nombre de personnes concernées par le traitement est déterminé en fonction de l'indicateur de risque.


Le dispositif MBT3946DW1T1G est un spin-off de notre populaire dispositif à trois conduits SOT-23/SOT-323.
 
Classifications environnementales et d'exportationdeN25Q064A13ESE40F Pour les produits de base
 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
SMBT3946DW1T1G Array de transistors bipolaires NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW 0 

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Je suis intéressé à SMBT3946DW1T1G Array de transistors bipolaires NPN, PNP 40V 200mA 300MHz 250MHz 150mW pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
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