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Le transistor MOSFET d'IC du transistor DMN5L06DWK7 conjuguent signal de la Manche de la Manche 2 de N petit
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | Original |
| Certification: | Original |
| Numéro de modèle: | DMN5L06DWK7 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | USD |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Montage du style :: | SMD/SMT | Polarité du transistor :: | N-canal |
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| Emballage :: | Coupez la bande | Paquet/cas :: | SOT-363-6 |
| Nombre de canaux :: | La Manche 2 | Type de produit :: | Transistor MOSFET |
| Surligner: | Transistor IC DMN5L06DWK7,Le transistor MOSFET conjuguent la Manche de la Manche 2 de N,Petit transistor IC de signal |
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Description de produit
Le transistor MOSFET d'IC du transistor DMN5L06DWK7 conjuguent signal de la Manche de la Manche 2 de N petit
Le transistor MOSFET de puce d'IC du transistor DMN5L06DWK7 conjuguent signaux de la Manche de la Manche 2 de N de petits
Caractéristiques de DMN5L06DWK7
double transistor MOSFET de N-canal de
basse Sur-résistance de (1.0V maximum)
tension même de seuil de porte de basse
basse capacité d'entrée de
vitesse de changement rapide de
basse fuite d'entrée-sortie de
Ultra-petit paquet extérieur de bâti de
le ESD s'est protégé jusqu'à 2kV
totalement sans plomb et entièrement RoHS conforme (notes 1 et 2)
halogène et antimoine de libres. Dispositif « vert » (note 3)
le a qualifié aux normes AEC-Q101 pour haut Reliabilit
Données mécaniques de DMN5L06DWK7
| Cas | SOT363 |
| Matériel de cas | Plastique moulé, composé de moulage « vert ». Classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-0 |
| Sensibilité d'humidité | De niveau 1 par J-STD-020 |
| Connexions terminales | Voir le diagramme |
| Terminaux | Finition – Matte Tin Annealed au-dessus d'alliage 42 Leadframe. Solderable par MIL-STD-202, méthode 208 |
| Poids | 0,006 grammes (d'approximatif) |
Attributs de produit de DMN5L06DWK7
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Configuration
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N-canal 2 (double)
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Caractéristique de FET
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Porte de niveau de logique
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
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50V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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305mA
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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2Ohm @ 50mA, 5V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
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1V @ 250µA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
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-
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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50pF @ 25V
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Puissance - maximum
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250mW
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Température de fonctionnement
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-65°C | 150°C (TJ)
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet/cas
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6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Paquet de dispositif de fournisseur
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SOT-363
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Nombre bas de produit
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DMN5L06
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Dans l'entrepôt.
