• DTD123ECT116 Transistor bipolaire 50V 500mA 200MHz 200mW Montage en surface SST3
DTD123ECT116 Transistor bipolaire 50V 500mA 200MHz 200mW Montage en surface SST3

DTD123ECT116 Transistor bipolaire 50V 500mA 200MHz 200mW Montage en surface SST3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: Original
Certification: Original
Numéro de modèle: DTD123ECT116

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Type de transistor: NPN - Pré-décentré Actuel - collecteur (IC) (maximum): 500 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 50V Température de fonctionnement: -40°C | 85°C
Résistance - base (R1): 2,2 kOhms Type de SMounting: Bâti extérieur
Surligner:

Transistor bipolaire DTD123ECT116

,

transistor bipolaire 50V 500mA

,

montage en surface 200mW SST3

Description de produit

DTD123ECT116 Transistor bipolaire 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW Montage en surface SST3

 

Attributs du produit deDTD123ECT116
TAPER
DESCRIPTION
Catégorie
Produits semi-conducteurs discrets
Transistors
Bipolaire (BJT)
Transistors bipolaires simples prépolarisés
Fabricant
ROHM
Série
-
État du produit
Actif
Type de transistor
NPN - Pré-biaisé
Courant - Collecteur (Ic) (Max)
500mA
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max)
50V
Résistance - Base (R1)
2,2 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2)
2,2 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
39 @ 50mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300 mV à 2,5 mA, 50 mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)
500nA
Fréquence - Transition
200 MHz
Puissance - Max
200mW
Type de montage
Montage en surface
Paquet/caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ensemble d'appareils du fournisseur
SST3
Numéro de produit de base
DTD123

 

Classifications environnementales et d'exportation

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

Caractéristiquesde DTD123ECT116

 

1) Les résistances de polarisation intégrées permettent la configuration d'un circuit onduleur sans connexion externe
Résistances d'entrée externes.(voir circuit équivalent)
2) La résistance de polarisation consiste en des résistances à couche mince avec une isolation complète pour permettre une polarisation négative de l'entrée.ils ont aussi
l'avantage d'éliminer presque complètement les effets parasites.
3) Seules les conditions marche/arrêt doivent être définies pour le fonctionnement, ce qui facilite la conception de l'appareil.

 

DTD123ECT116 Transistor bipolaire 50V 500mA 200MHz 200mW Montage en surface SST3 0

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