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PARALLÈLE 45NS 44TSOP d'IC 4MBIT de puce de circuit intégré de CY62147G30-45ZSXAT
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | CY62147G30-45ZSXAT |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Capacité de la mémoire: | 4Mbit | Organisation de mémoire: | 256K x 16 |
|---|---|---|---|
| Interface de mémoire: | Parallèle | Temps de cycle d'écriture - mot, page: | 45ns |
| Temps d'accès: | 45 NS | Tension - approvisionnement: | 2.2V | 3.6V |
| Température de fonctionnement: | -40°C | 85°C (VENTRES) | Format de mémoire: | SRAM |
| Surligner: | CY62147G30-45ZSXAT,PARALLÈLE 45NS D'IC 4MBIT,Puce du circuit intégré 44TSOP |
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Description de produit
Puce IC 4Mbit 45 parallèles NS 44-TSOP de circuit intégré de CY62147G30-45ZSXAT
PARALLÈLE 44TSOP II D'IC SRAM 4MBIT
Caractéristiques de CY62147G30-45ZSXAT
| TYPE | DESCRIPTION |
| Catégorie | Circuits intégrés (IC) |
| Mémoire | |
| Mémoire | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Série | MoBL® |
| Paquet | Bande et bobine (TR) |
| Coupez la bande (les CT) | |
| Statut de produit | Actif |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Capacité de la mémoire | 4Mbit |
| Organisation de mémoire | 256K X 16 |
| Interface de mémoire | Parallèle |
| Écrivez la durée de cycle - Word, page | 45ns |
| Temps d'accès | 45 NS |
| Tension - approvisionnement | 2.2V | 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (VENTRES) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | 44-TSOP (0,400", largeur de 10.16mm) |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 44-TSOP II |
| Nombre bas de produit | CY62147 |
Caractéristiques de CY62147G30-45ZSXAT
■Grande vitesse : 45 ns/55 NS
■Températures ambiantes
❐ des véhicules à moteur-Un : -40 C à +85 C de
❐ des véhicules à moteur-e : -40 C à +125 C de
■Alimentation générale très réduite
Courant de réserve typique de ❐ : 3,5 A
■CCE incorporée pour de correction d'erreurs à bit unique [1, 2]
■Grand choix de tension : 2,2 V à 3,6 V
■conservation des données 1.0-V
■entrées et sorties TTL-compatibles
■48 boule sans Pb VFBGA et 44 paquets de la goupille TSOP II
Description fonctionnelle de CY62147G30-45ZSXAT
CY62147G/CY621472G est les dispositifs de basse puissance performants de CMOS (MoBL) SRAM avec la CCE incorporée. Les deux dispositifs sont
offert dans la puce simple et double permettez les options et dans des brochages multiples.
Classifications environnementales et d'exportation de CY62147G30-45ZSXAT
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
