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IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Puce N Canal PG-TO252-3-901 DPAK 75V 42A
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | Original |
| Certification: | Original |
| Numéro de modèle: | IRFR2607ZTRPBF |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Type de FET: | N-canal | Vidangez à la tension de source (Vdss): | 75 V |
|---|---|---|---|
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: | 42A (comité technique) | Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: | 22mOhm @ 30A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | 4V @ 50µA | Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 51 OR @ 10 V |
| Surligner: | IRFR2607ZTRPBF,puce IC transistor 75V 42A,canal N IRFR2607ZTRPBF |
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Description de produit
IRFR2607ZTRPBF Transistor IC Puce Canal N 75 V 42A PG-TO252-3-901|DPAK
Caractéristiques de l'IRFR2607ZTRPBF
Technologie de processus avancée
Ultra faible résistance à l'allumage
Température de fonctionnement de 175 °C
Commutation rapide
Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjamx
Sans plomb
Attributs du produitdeIRFR2607ZTRPBF
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Produit
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IRFR2607ZTRPBF
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Type FET
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Canal N
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Technologie
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MOSFET (oxyde métallique)
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Tension drain à source (Vdss)
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75V
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Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
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42A (TC)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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22 mOhms à 30 A, 10 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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4V @ 50µA
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Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
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51 nC à 10 V
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Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
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1440 pF à 25 V
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Fonction FET
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-
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Type de montage
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Montage en surface
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Ensemble d'appareils du fournisseur
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PG-TO252-3-901|DPAK
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Paquet/caisse
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TO-252-3, DPak (2 fils + languette), SC-63
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Numéro de produit de base
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IRFR2607
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Classifications environnementales et d'exportation de IRFR2607ZTRPBF
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
|---|---|
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
Description deIRFR2607ZTRPBF
Ce MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre des niveaux extrêmement bas
résistance à l'état passant par zone de silicium.Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une jonction fonctionnant à 175 °C
température, vitesse de commutation rapide et amélioration de l'évaluation des avalanches répétitives.Ces fonctionnalités se combinent
pour faire de cette conception un appareil extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
