• BSS138-7-F Transistor Circuit intégré 50V 200mA N Channel Mosfet IC SOT-23-3
BSS138-7-F Transistor Circuit intégré 50V 200mA N Channel Mosfet IC SOT-23-3

BSS138-7-F Transistor Circuit intégré 50V 200mA N Channel Mosfet IC SOT-23-3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: Original
Certification: Original
Numéro de modèle: BSS138-7-F

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Vidangez à la tension de source (Vdss): 50 V Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 220mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 3.5Ohm @ 220mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 1.5V @ 250µA Température de fonctionnement: -55°C | 150°C (TJ)
Surligner:

BSS138-7-F CI Mosfet canal N

,

50V 200mA BSS138-7-F

,

SOT-23-3 Circuit intégré de transistor

Description de produit

BSS138-7-F Transistor IC Chip N-Channel 50V 200mA 300mW Montage en surface SOT-23-3

 

Caractéristiques de BSS138-7-F

 

 Faible résistance à l'allumage
 Tension de seuil de grille basse
 Faible capacité d'entrée
 Vitesse de commutation rapide
 Faible fuite d'entrée/sortie
 Totalement sans plomb et entièrement conforme RoHS (Remarques 1 et 2)
 Sans halogène ni antimoine.Dispositif "vert" (Remarque 3)
 Pour les applications automobiles nécessitant un changement spécifique

 

Attributs du produitdeBSS138-7-F

 

Produit
BSS138-7-F
Type FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss)
50V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3,5 ohms à 220 mA, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id
1,5 V à 250 µA
Vg (Max)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
50 pF à 10 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (maximale)
300mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur
SOT-23-3
Paquet/caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSS138

 

Données mécaniques de BSS138-7-F


 Cas : SOT23
 Matériau du boîtier : plastique moulé.Classification d'inflammabilité UL
Classement 94V-0
 Sensibilité à l'humidité : Niveau 1 selon J-STD-020
 Bornes : finition en étain mat recuit sur une grille de connexion en alliage 42
(Placage sans plomb).Soudable selon MIL-STD-202, Méthode 208
 Connexions des bornes : voir le schéma
 Poids : 0,008 gramme (approximatif)

 

Classifications environnementales et d'exportation de BSS138-7-F

BSS138-7-F Transistor Circuit intégré 50V 200mA N Channel Mosfet IC SOT-23-3 0

 

Numéro d'article Cas Emballage
BSS138-7-F SOT23 (Norme) 3000/bande et bobine
BSS138-13-F SOT23 (norme) 10000/bande et bobine

 

BSS138-7-F Transistor Circuit intégré 50V 200mA N Channel Mosfet IC SOT-23-3 1

 

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Je suis intéressé à BSS138-7-F Transistor Circuit intégré 50V 200mA N Channel Mosfet IC SOT-23-3 pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
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