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PLAN ÉPITAXIAL du SILICIUM NPN de la puce 200MA d'IC du transistor MMBT3904
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | MMBT3904 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Actuel - collecteur (IC) (maximum): | 200 mA | Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): | 40 V |
|---|---|---|---|
| Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: | 300mV @ 5mA, 50mA | Actuel - coupure de collecteur (maximum): | 50nA |
| Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: | 100 @ 10mA, 1V | Puissance - maximum: | 300mW |
| Fréquence - transition: | 250MHz | Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
Description de produit
PLAN ÉPITAXIAL du SILICIUM NPN de la puce 200MA d'IC du transistor MMBT3904
Transistor (BJT) bipolaire NPN 40 V 200 mA 250MHz bâti extérieur SOT-23 de 300 mW
Caractéristiques de MMBT3904
| TYPE | DESCRIPTION |
| Catégorie | Produits semiconducteurs discrets |
| Transistors | |
| Bipolaire (BJT) | |
| Transistors bipolaires simples | |
| Mfr | SEMI-CONDUCTEUR D'ANBON (INTERNATIONAL) LIMITÉ |
| Série | - |
| Paquet | Bande et bobine (TR) |
| Coupez la bande (les CT) | |
| Statut de produit | Actif |
| Type de transistor | NPN |
| Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 200 mA |
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 40 V |
| Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC | 300mV @ 5mA, 50mA |
| Actuel - coupure de collecteur (maximum) | 50nA |
| Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
| Puissance - maximum | 300 mW |
| Fréquence - transition | 250MHz |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquet de dispositif de fournisseur | SOT-23 |
| Nombre bas de produit | MMBT390 |
Caractéristiques de MMBT3904
• Tension élevée de collecteur-emitterbreakdien. (BVCEO 40V Min.@Ic =1mA)
• Le petit transistor de commutateur de charge avec la saturation à gain élevé et basse, est conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications de changement au courant de collecteur.
• Capable de la dissipation de puissance 225mW.
• Les pièces sans plomb pour l'associé vert, dépasse des normes environnementales de MIL-STD-19500/228
• Suffixe « - H » indique la partie sans halogène, ex. MMBT3904-H.
Classifications environnementales et d'exportation de MMBT3904
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
