• Modules Igbt de puce d'IC ​​de circuit intégré de F450R07W1H3B11ABOMA1 650V
Modules Igbt de puce d'IC ​​de circuit intégré de F450R07W1H3B11ABOMA1 650V

Modules Igbt de puce d'IC ​​de circuit intégré de F450R07W1H3B11ABOMA1 650V

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: F450R07W1H3B11ABOMA1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Mfr: Infineon Technologies Série: EasyPACK™
Paquet: Plateau Statut de produit: Actif
Type d'IGBT: Arrêt de champ de tranchée Configuration: Onduleur à pont complet
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 650V Actuel - collecteur (IC) (maximum): 55 A
Surligner:

F450R07W1H3B11ABOMA1

,

modules Igbt à puce IC

,

puce IC à circuit intégré 650 V

Description de produit

Modules d'Igbt de puce d'IC ​​de circuit intégré de F450R07W1H3B11ABOMA1

 

Module IGBT Trench Field Stop Full Bridge Onduleur 650 V 55 A 200 W Module de montage sur châssis

 

Spécifications de F450R07W1H3B11ABOMA1

 

TAPER DESCRIPTION
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Transistors
IGBT
Modules IGBT
Fabricant Infineon Technologies
Série EasyPACK™
Emballer Plateau
État du produit Actif
Type d'IGBT Arrêt de tranchée
Configuration Onduleur à pont complet
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 55 A
Puissance - Max 200W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1,85 V à 15 V, 25 A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 3,25 nF à 25 V
Saisir Standard
Thermistance NTC Oui
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage sur châssis
Paquet/caisse Module
Ensemble d'appareils du fournisseur Module
Numéro de produit de base F450R07

 

Les caractéristiques deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Augmentation de la capacité de tension de blocage à 650 V
• IGBT haute vitesse H3
• Conception à faible induction
• Faibles pertes de commutation
• Faible VCEsat
• Isolation 2,5 kV CA 1 min
• Distances de fuite et de dégagement élevées
• Technologie de contact PressFIT
• Conforme RoHS
• Montage robuste grâce au montage intégré
pinces

 

Demandes deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
• Applications automobiles
• Application de commutation haute fréquence
• Convertisseur CC/CC
• Onduleurs auxiliaires
• Véhicules électriques hybrides (H)EV
• Chauffage et soudage par induction
 

Classifications environnementales et d'exportation deF450R07W1H3B11ABOMA1

 
ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
 

Modules Igbt de puce d'IC ​​de circuit intégré de F450R07W1H3B11ABOMA1 650V 0



 

 

 

 

 

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