• R7F7010333AFP#KA4 transistor IC Chip Ic Mcu 32bit 1mb 176lfqfp instantané
R7F7010333AFP#KA4 transistor IC Chip Ic Mcu 32bit 1mb 176lfqfp instantané

R7F7010333AFP#KA4 transistor IC Chip Ic Mcu 32bit 1mb 176lfqfp instantané

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: R7F7010333AFP#KA4

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Série: RH850/F1L Paquet: Plateau
Statut de produit: Actif Processeur de noyau: RH850G3K
Capacité de mémoire: à un noyau à 32 bits Vitesse: 80MHz
Périphériques: DMA, PWM, WDT Nombre d'entrée-sortie: 150

Description de produit

R7F7010333AFP#KA4 transistor IC Chip Ic Mcu 32bit 1mb 176lfqfp instantané

 

Microcontrôleur de RH850G3K RH850/F1L IC 80MHz à un noyau à 32 bits 1MB (1M x 8) 176-LFQFP INSTANTANÉ (24x24)

 

Caractéristiques de R7F7010333AFP#KA4

 

TYPE DESCRIPTION
Catégorie Circuits intégrés (IC)
Incorporé
Microcontrôleurs
Mfr L'électronique Amérique inc. de Renesas
Série RH850/F1L
Paquet Plateau
Statut de produit Actif
Processeur de noyau RH850G3K
Capacité de mémoire à un noyau à 32 bits
Vitesse 80MHz
Connectivité CANbus, CSI, ² C, LINbus, SPI, UART/USART d'I
Périphériques DMA, PWM, WDT
Nombre d'entrée-sortie 150
Capacité de la mémoire de programme 1MB (1M x 8)
Type de mémoire de programme ÉCLAIR
Taille d'EEPROM 32K X 8
RAM Size 128K X 8
Tension - approvisionnement (Vcc/Vdd) 3V | 5.5V
Convertisseurs de données A/D 28x10b, 32x12b
Type d'oscillateur Interne
Température de fonctionnement -40°C | 105°C (VENTRES)
Montage du type Bâti extérieur

 

Caractéristiques de R7F7010333AFP#KA4

 

Les entrées déconnectées de dispositif de CMOS peuvent être cause de défaut de fonctionnement. Si une goupille d'entrée est non liée, c'est possible qu'un niveau saisie interne peut devoir produit ébruiter, etc., causant le défaut de fonctionnement. Les dispositifs de CMOS se comportent différemment que les dispositifs bipolaires ou de NMOS. Les niveaux saisie des dispositifs de CMOS doivent être hauts ou bas fixe à l'aide des circuits cabreurs ou déroulants. Chaque goupille inutilisée devrait être reliée à l'alimentation d'énergie ou à la terre par l'intermédiaire d'une résistance s'il y a une possibilité que ce sera une goupille de sortie. Toute la manipulation liée aux goupilles inutilisées doit être jugée séparément pour chaque dispositif et selon des caractéristiques relatives régissant le dispositif.
 

Applications de R7F7010333AFP#KA4


La déformation de forme d'onde devant entrer le bruit ou une vague reflétée peut causer le défaut de fonctionnement. Si l'entrée du dispositif de CMOS reste dans le secteur entre VIL (max) et VIH (MINIMUM) dû au bruit, etc., le dispositif peut fonctionner mal. Faites attention pour empêcher le bruit de vibration d'écrire le dispositif quand le niveau saisie est fixé, et également pendant la période de transition où le niveau saisie traverse le secteur entre VIL (max) et VIH (MINUTE).

 

Classifications environnementales et d'exportation de R7F7010333AFP#KA4

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN 3A991A2
HTSUS 8542.31.0001

 

R7F7010333AFP#KA4 transistor IC Chip Ic Mcu 32bit 1mb 176lfqfp instantané 0

 

 

 

 

 

 

 

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