• MT47H16M16BG-3IT : Circuit intégré IC Chip Dram 256mbit 84fbga parallèle de B
MT47H16M16BG-3IT : Circuit intégré IC Chip Dram 256mbit 84fbga parallèle de B

MT47H16M16BG-3IT : Circuit intégré IC Chip Dram 256mbit 84fbga parallèle de B

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: MT47H16M16BG-3IT : B

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
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Détail Infomation

Paquet: Bande et bobine (TR) Statut de produit: Obsolète
Type de mémoire: Volatil Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM-DDR2 Capacité de la mémoire: 256 Mbits
Organisation de mémoire: 16M x 16 Interface de mémoire: Parallèle

Description de produit

MT47H16M16BG-3IT : Transistor IC Chip Ic Dram 256mbit 84fbga parallèle de B

 

SDRAM - DDR2 la mémoire IC 256Mbit mettent en parallèle 333 mégahertz pendant 450 picosecondes 84-FBGA (8x14)

 

Caractéristiques de MT47H16M16BG-3IT : B

 

TYPE DESCRIPTION
Catégorie Circuits intégrés (IC)
Mémoire
Mémoire
Mfr Micron Technology Inc.
Série -
Paquet Bande et bobine (TR)
Statut de produit Obsolète
Type de mémoire Volatil
Format de mémoire DRACHME
Technologie SDRAM - DDR2
Capacité de la mémoire 256Mbit
Organisation de mémoire 16M x 16
Interface de mémoire Parallèle
Fréquence du signal d'horloge 333 mégahertz
Écrivez la durée de cycle - Word, page 15ns
Temps d'accès 450 picosecondes
Tension - approvisionnement 1.7V | 1.9V
Température de fonctionnement
-40°C | 95°C (COMITÉ TECHNIQUE)
Montage du type Bâti extérieur
Paquet/cas 84-FBGA
Paquet de dispositif de fournisseur 84-FBGA (8x14)
Nombre bas de produit MT47H16M16

 

 

 

Caractéristiques de MT47H16M16BG-3IT : B

 

• Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V
• entrée-sortie 1.8V JEDEC-standard (SSTL_18-compatible)
• Option différentielle du stroboscope de données (DQS, DQS #)
• architecture du prefetch 4n-bit
• Option en double du stroboscope de sortie (RDQS) pour x8
• DLL pour aligner des transitions de DQ et de DQS avec les CK
• 4 banques internes pour le fonctionnement concurrent
• Latence programmable de CAS (CL)
• Latence additive signalée de CAS (AL)
• ÉCRIVEZ la latence = latence LUE - 1 tCK
• Longueurs éclatées sélectionnables (BL) : 4 ou 8
• Force réglable d'entraînement de donnée-sortie
• 64ms, cycle 8 192 régénérer
• arrêt de Sur-matrice (ODT)
• Option (informatique) industrielle de la température
• Option des véhicules à moteur de la température (À)
• RoHS conforme
• Spécifications de frousse d'horloge de soutiens JEDEC
 
La température des véhicules à moteur de MT47H16M16BG-3IT : B
 
L'option des véhicules à moteur de la température (À), si offert, a deux conditions simultanées : la température ambiante entourant le dispositif ne peut pas être moins que – 40°C ou plus grand que +105°C, et la température de carter ne peut pas être moins que – 40°C ou plus grand que les caractéristiques de +105°C. JEDEC exigent la vitesse de régénération pour doubler quand le comité technique dépasse +85°C ; ceci exige également de l'utilisation de l'individu à hautes températures de régénérer l'option. En plus, la résistance d'ODT et l'impédance d'entrée-sortie doivent être sous-sollicitées quand le comité technique est < 0=""> +85°C.
 

Classifications environnementales et d'exportation de MT47H16M16BG-3IT : B

 

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0024

 

 

 

MT47H16M16BG-3IT : Circuit intégré IC Chip Dram 256mbit 84fbga parallèle de B 0

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