• Le transistor IC de FDN335N ébrèchent le bâti extérieur SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC
Le transistor IC de FDN335N ébrèchent le bâti extérieur SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC

Le transistor IC de FDN335N ébrèchent le bâti extérieur SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: Original
Certification: Original
Numéro de modèle: FDN335N

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
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Détail Infomation

Bâti extérieur SOT-23 du P-canal 20 V 1.7A 1W de puce d'IC de transistor de FDN335N: 20 V Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 1.7A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 3,5 OR @ 4,5 V Vgs (maximum): ±8V
Surligner:

Puce d'IC de transistor de FDN335N

,

1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC

,

puce d'IC de transistor de 20V 1.7A

Description de produit

Bâti extérieur SOT-23 du P-canal 20 V 1.7A 1W de puce d'IC de transistor de FDN335N

 

Caractéristiques de FDN335N

 

Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET
●Conception à haute densité de cellules de dîner

 

Attributs de produit de FDN335N

 

Produit
FDN335N
Type de FET
P-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
20 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
1.7A (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
70mOhm @ 1.7A, 4.5V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
3,5 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)
±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
310 PF @ 10 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
1W (ventres)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23
Paquet/cas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

 

Classifications environnementales et d'exportation de FDN335N
ATTRIBUT DESCRIPTION
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 1 (illimité)
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Application de FDN335N

 

Protection de batterie de ※
Le ※ chargent le commutateur
Gestion de batterie de ※

 

Le transistor IC de FDN335N ébrèchent le bâti extérieur SOT-23 de 20V 1.7A 1 W.P. Channel Mosfet IC 0

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