• NJVMJD45H11RLG Transistor bipolaire (BJT) PNP 80 V 8 A 40 MHz 1,75 W DPAK
NJVMJD45H11RLG Transistor bipolaire (BJT) PNP 80 V 8 A 40 MHz 1,75 W DPAK

NJVMJD45H11RLG Transistor bipolaire (BJT) PNP 80 V 8 A 40 MHz 1,75 W DPAK

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.

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Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Détail Infomation

Type de transistor: PNP Courant - collecteur (Ic) (maximum): 0.333333333
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max): 80 V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 1V @ 400mA, 8A
Courant - Coupe du collecteur (maximum): 10µA Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V

Description de produit

NJVMJD45H11RLG Transistor bipolaire (BJT) PNP 80 V 8 A 40 MHz 1,75 W DPAK
 
Les spécifications de Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples
Mfr un demi
Série Automobile, AEC-Q101
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 0.333333333
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 80 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 1V @ 400mA, 8A
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 10 μA
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 1V
Puissance maximale 1.75 W
Fréquence - Transition 40 MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur DPAK
Numéro du produit de base NJVMJD45

 
Caractéristiques duLe nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.

* Plomb formé pour l'application de montage en surface dans des pochettes en plastique (sans suffixe)
• Version en plomb droit dans des pochettes en plastique (suffixe ∆−1 ∆)
• Électriquement similaire à la populaire série D44H/D45H
• Faible tension de saturation de l'émetteur du collecteur
• Vitesse de commutation rapide
• Des paires complémentaires simplifient les conceptions
• L'époxy répond à UL 94 V−0 @ 0,125 pouces
• Préfixe NJV pour l'automobile et autres applications nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle; AEC-Q101 Qualifié et PPAP Capable
• Ces dispositifs sont exempts de Pb−, d'halogène/de BFR et sont conformes à la directive RoHS

 

 

 


La mise en place deLe nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre de heures de travail.


Conçus pour l'alimentation et la commutation à usage général telles que les étapes de sortie ou de conduite dans des applications telles que les régulateurs de commutation, les convertisseurs et les amplificateurs de puissance.

 

 

NJVMJD45H11RLG Transistor bipolaire (BJT) PNP 80 V 8 A 40 MHz 1,75 W DPAK 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


 
 
 

 

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