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IPD80R900P7ATMA1 IC électronique ébrèche le transistor MOSFET IC N ch 800V 6A TO252-3
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | IPD80R900P7ATMA1 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T, L/C |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: | 350 PF @ 500 V | Caractéristique de FET: | - |
|---|---|---|---|
| Dissipation de puissance (maximum): | 45W (comité technique) | Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type: | Bâti extérieur | Paquet de dispositif de fournisseur: | PG-TO252-3 |
| Paquet/cas: | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 | Nombre bas de produit: | IPD80R900 |
| Surligner: | IPD80R900P7ATMA1,Transistor MOSFET IC N CH 800V 6A,Transistor MOSFET IC 800V 6A TO252-3 |
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Description de produit
Transistor MOSFET SANS FIL N-CH 100V 60A TO252-3 de MODULE d'IPD60N10S4L-12 RF
Transistor MOSFET sans fil N-ch 800v 6a To252-3 de module d'Ipd80r900p7atma1 rf
Bâti PG-TO252-3 de la surface 45W (comité technique) du N-canal 800 V 6A (comité technique)
Caractéristiques de 7H DU MATIN 1 d'IPD80R900P
| TYPE | DESCRIPTION |
| Catégorie | Produits semiconducteurs discrets |
| Transistors | |
| FETs, transistors MOSFET | |
| FETs simples, transistors MOSFET | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Série | CoolMOS™ P7 |
| Paquet | Bande et bobine (TR) |
| Coupez la bande (les CT) | |
| Digi-Reel® | |
| Statut de produit | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 800 V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 6A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 900mOhm @ 2.2A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3.5V @ 110µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 15 OR @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 350 PF @ 500 V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 45W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | PG-TO252-3 |
| Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
| Nombre bas de produit | IPD80R900 |
Caractéristiques de 7H DU MATIN 1 d'IPD80R900P
•Meilleur-dans-classFOMRDS (dessus) des *Eoss ; reducedQg, Ciss, andCoss
•Meilleur-dans-classDPAKRDS (dessus)
•Meilleur-dans-classV (GS) thof3VandsmallestV (GS) thvariationof±0.5V
•IntegratedZenerDiodeESDprotection
•Fullyoptimizedportfolio
Applications de 7H DU MATIN 1 d'IPD80R900P
•Meilleur-dans-classperformance
•Enablinghigherpowerdensitydesigns, assemblycosts de BOMsavingsandlower
•Easytodriveandtoparallel
•BetterproductionyieldbyreducingESDrelatedfailures
•Lessproductionissuesandreducedfieldreturns
•Easytoselectrightpartsforfinetuningofdesigns
Classifications environnementales et d'exportation de 7H DU MATIN 1 d'IPD80R900P
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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