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TK100L60W N-Channel 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) à travers le trou TO-3P ((L)
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | TK100L60W |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
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Détail Infomation |
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| Type de FET: | N-canal | Technologie: | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
|---|---|---|---|
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss): | 600 V ou plus | Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: | 100A (Ta) |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): | 10 V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 3.7V @ 5mA | Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 360 nC @ 10 V |
Description de produit
TK100L60W N-Channel 600 V 100A (Ta) 797W (Tc) à travers le trou TO-3P ((L)
Les spécifications de TK100L60W
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors et appareils électroniques | |
| Les FET, les MOSFET | |
| Les FET simples et les MOSFET | |
| Mfr | Toshiba Semi-conducteurs et stockage |
| Série | DTMOSIV |
| Le paquet | Tuyaux |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 600 V ou plus |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | 100A (Ta) |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 3.7V @ 5mA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 360 nC @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ± 30 V |
| La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 15000 pF @ 30 V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | Pour les appareils à commande numérique |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | À travers le trou |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les véhicules à moteur électrique |
| Emballage / boîtier | TO-3PL |
| Numéro du produit de base | TK100L60 |
Caractéristiques du TK100L60W
(1) Basse résistance à la source de drainage: RDS ((ON) = 0,015 Ω (typique) par utilisée pour la structure de super jonction : DTMOS
(2) Facilité de commande du commutateur de porte
(3) Mode de renforcement: Vth = 2,7 à 3,7 V (VDS = 10 V, ID = 5 mA)
Applications de TK100L60W
Régulateurs de commutation de tension
Classifications environnementales et d'exportationTK100L60W
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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