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SI4825DDY-T1-GE3 P-Channel 30 V 14.9A 2.7W 5W (Tc) Monture de surface 8-SOIC
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | SI4825DDY-T1-GE3 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
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Détail Infomation |
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| Type de FET: | P-canal | Technologie: | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
|---|---|---|---|
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss): | 30 V | Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: | 14.9A (Tc) |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12Pour les appareils à induction, la valeur de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 86 OR @ 10 V |
Description de produit
SI4825DDY-T1-GE3 P-Channel 30 V 14.9A 2.7W 5W (Tc) Monture de surface 8-SOIC
Les spécifications de Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors et appareils électroniques | |
| Les FET, les MOSFET | |
| Les FET simples et les MOSFET | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Tape à découper (CT) | |
| Type de FET | P-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 30 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | 14.9A (Tc) |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12Pour les appareils à induction, la valeur de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure à: |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ± 25V |
| La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 2550 pF @ 15 V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 2.7W (Ta), 5W (Tc) |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 8-SOIC |
| Emballage / boîtier | 8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm) |
| Numéro du produit de base | SI4825 |
Classifications environnementales et d'exportationSi la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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