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NTHS5404T1G MOSFET à canal N 20 V 5.2A (Ta) 1.3W (Ta) Montage de surface ChipFETTM
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | NT1département d'État |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
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Détail Infomation |
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| Type de FET: | N-canal | Voltage d'évacuation à la source (Vdss): | 20 V |
|---|---|---|---|
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: | 5.2A (Ta) | Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 30 mOhm @ 5.2A, 4,5 V | Vgs(th) (maximum) @ Id: | 600 mV @ 250 μA (min) |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 18 OR @ 4,5 V | Vgs (maximum): | ±12V |
| Surligner: | NTHS5404T1G MOSFET à chaîne N,MOSFET à chaîne N monté à la surface,MOSFET à chaîne N 20 V 5.2A |
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Description de produit
NSVT45010MW6T1G Transistors bipolaires en série 2 PNP (double) 45V 100mA 100MHz 380mW
Les spécifications de NT1département d'État
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors et appareils électroniques | |
| Les FET, les MOSFET | |
| Les FET simples et les MOSFET | |
| Mfr | un demi |
| Série | - |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Tape à découper (CT) | |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 20 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | 5.2A (Ta) |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.2A, 4,5 V |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 600 mV @ 250 μA (min) |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 18 nC @ 4,5 V |
| Vgs (maximum) | ± 12V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le dépôt de données |
| Emballage / boîtier | 8-SMD, plomb plat |
| Numéro du produit de base | NT1déclaration de résistance |
Caractéristiques du NT1département d'État
• Faible RDS (allumée) pour une efficacité accrue
• Disque de la porte de niveau logique
• Le montage de surface en miniature de l'emballage ChipFET permet d'économiser de l'espace sur le plateau
• Un emballage sans Pb est disponible
Des descriptions de NT1département d'État
• Gestion de l'énergie dans les produits portables et à batterie, tels que les téléphones cellulaires et sans fil et les cartes PCMCIA
Classifications environnementales et d'exportationNT1département d'État
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Statut REACH | REACH Non affecté |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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