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NSVT45010MW6T1G Transistors bipolaires en série 2 PNP (double) 45V 100mA 100MHz 380mW
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement. |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
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Détail Infomation |
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| Type de transistor: | 2 PNP (double) | Actuel - collecteur (IC) (maximum): | 100 mA |
|---|---|---|---|
| Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): | 45 V | Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Actuel - coupure de collecteur (maximum): | 15nA (ICBO) | Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: | 220 @ 2mA, 5V |
| Puissance maximale: | 380mW | Fréquence - transition: | 100 MHz |
| Surligner: | Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.,Réglage de transistors bipolaires NSVT45010MW6T1G,2 séries de transistors bipolaires PNP |
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Description de produit
NSVT45010MW6T1G Transistors bipolaires en série 2 PNP (double) 45V 100mA 100MHz 380mW
Les spécifications de Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors et appareils électroniques | |
| Bipolaire (BJT) | |
| Arrays de transistors bipolaires | |
| Mfr | un demi |
| Série | - |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Tape à découper (CT) | |
| Type de transistor | 2 PNP (double) |
| Courant - collecteur (Ic) (maximum) | 100 mA |
| Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) | 45 V |
| Vce saturation (max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
| Courant - Coupe du collecteur (maximum) | Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
| Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
| Puissance maximale | 380 mW |
| Fréquence - Transition | 100 MHz |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les règles en vigueur en ce qui concerne les droits de douane. |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments. |
| Numéro du produit de base | Le numéro de référence est le numéro de référence. |
Caractéristiques du Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
• Correspondance des gains actuels à 10%
• Tension de base-émetteur assortie à ≤ 2 mV
• Remplacement automatique du dispositif standard
• Préfixe NSV pour l'automobile et autres applications nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle; AEC-Q101 Qualifié et PPAP Capable
• Ces dispositifs sont exempts de Pb−, d'halogène/de BFR et sont conformes à la directive RoHS
Des descriptions de Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
Ces transistors sont logés dans un paquet ultra-petit SOT-363 idéalement adapté pour les produits portables.éliminer la nécessité d'une taille coûteuseLes applications sont les miroirs de courant; les amplificateurs différentiels, sensibles et équilibrés; les mélangeurs; les détecteurs et limitateurs.
Classifications environnementales et d'exportationLe système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Statut REACH | REACH Non affecté |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
