• MSA1162GT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59
MSA1162GT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59

MSA1162GT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: PNP Actuel - collecteur (IC) (maximum): 100 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 50 V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 500 mV @ 10 mA, 100 mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum): 100nA Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Puissance maximale: 200 mW Fréquence - transition: 80MHz

Description de produit

MSA1162GT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59
 
Les spécifications de Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 100 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 50 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 500 mV @ 10 mA, 100 mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 100 nA
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 6V
Puissance maximale 200 mW
Fréquence - Transition 80 MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le SC-59
Numéro du produit de base MSA1162

 

Caractéristiques du Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.


• Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
• Il s'agit d'un dispositif sans Pb−

 

 


Classifications environnementales et d'exportationLes produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0095

 
MSA1162GT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 50 V 100 mA 80MHz 200 mW SC-59 0


 

 

 

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