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La capacité de stockage de l'électricité est supérieure à la capacité de stockage de l'électricité.
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures. |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
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Détail Infomation |
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| Le paquet: | Plateau | Type de mémoire: | Les produits de base |
|---|---|---|---|
| Format de mémoire: | DRAM | Taille de mémoire: | 128Mbit |
| Organisation de la mémoire: | 8M x 16 | Interface de mémoire: | Parallèlement |
| Fréquence d'horloge: | 166 MHz | ||
Description de produit
La capacité de stockage de l'électricité est supérieure ou égale à la capacité de stockage de l'électricité.
Les spécifications de Le nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures.
| Le type | Définition |
| Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
| La mémoire | |
| La mémoire | |
| Mfr | ISSI, Solution intégrée au silicium Inc. |
| Série | - |
| Le paquet | Plateau |
| Type de mémoire | Les produits de base |
| Format de mémoire | DRAM |
| Technologie | SDRAM |
| Taille de mémoire | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 8M x 16 |
| Interface de mémoire | Parallèlement |
| Fréquence d'horloge | 166 MHz |
| Écrire le temps du cycle - mot, page | - |
| Temps d'accès | 5.4 ns |
| Voltage - alimentation | 3V à 3,6V |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
| Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | La taille de l'échantillon doit être comprise entre 5 et 10 mm. |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le produit est soumis à des contrôles. |
| Numéro du produit de base | Le nombre d'unités |
Caractéristiques du IS42S16800F-6TL
• Fréquence horlogère: 200, 166, 143 MHz
• entièrement synchrone; tous les signaux sont référencés sur un cadran positif
• Banque interne pour accès à la rangée de caches/précharge
• alimentation électrique Vdd Vddq
-IS42/45S81600F 3,3 V 3,3 V
-IS42/45S16800F 3,3 V 3,3 V
• Interface LVTTL
• Longueur de rafale programmable
️ (1, 2, 4, 8, page complète)
• Séquence d'explosion programmable: séquentielle/intermédiaire
• Récupération automatique
• Réconfortez- vous
• 4096 cycles de rafraîchissement tous les 16 ms (grade A2) ou 64 ms (grade A1)
• Adresse de colonne aléatoire à chaque cycle d'horloge
• latence du CAS programmable (2, 3 heures)
• Capacité de lecture/écriture rapide et de lecture/écriture rapide
• Termination de l'explosion par commande d'arrêt de l'explosion et de précharge
• Plage de température:
- Commercial (0 °C à + 70 °C)
-Industriel (de -40 °C à +85 °C)
-Automotive, A1 (-40°C à +85°C)
-Automotive, A2 (-40°C à +105°C)
Des descriptions deLe nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures.
La SDRAM de 128 Mb est une mémoire CMOS dynamique à accès aléatoire à haute vitesse conçue pour fonctionner dans les systèmes de mémoire 3.3V Vdd et 3.3V Vddq contenant 134,217728 bits.
Classifications environnementales et d'exportationLe nombre d'heures de travail est déterminé par le nombre d'heures.
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| Statut REACH | REACH Non affecté |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0002 |
