• CIRCUIT 8VSSOP du généraliste 2 de la puce de mémoire de TLV9152QDGKRQ1 EMMC OPAMP
CIRCUIT 8VSSOP du généraliste 2 de la puce de mémoire de TLV9152QDGKRQ1 EMMC OPAMP

CIRCUIT 8VSSOP du généraliste 2 de la puce de mémoire de TLV9152QDGKRQ1 EMMC OPAMP

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: TLV9152QDGKRQ1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Statut de produit: Actif Type d'amplificateur: Usage universel
Nombre de circuits: 2 Type de sortie: Rail-à-rail
Taux de groupe: 20V/µs Produit de largeur de bande de gain: 4,5 mégahertz
Actuel - polarisation d'entrée: PA 10 Tension - compensation d'entrée: µV 125
Surligner:

TLV9152QDGKRQ1

,

CIRCUIT 8VSSOP DU GÉNÉRALISTE 2 D'OPAMP

,

Puce de mémoire de 8VSSOP EMMC

Description de produit

TLV9152QDGKRQ1 Puce mémoire Emmc Ic Opamp GP 2 Circuit 8vssop
 
Amplificateur à usage général 2 circuits rail à rail 8-VSSOP

 

Spécifications deTLV9152QDGKRQ1

 

TAPER DESCRIPTION
Catégorie Circuits intégrés (CI)
Linéaire
Amplificateurs
Instrumentation, amplis OP, amplis tampons
Fabricant Texas Instruments
Série Automobile, AEC-Q100
Emballer Bande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
État du produit Actif
Type d'amplificateur Usage général
Nombre de circuits 2
Le type de sortie Rail à rail
Vitesse de balayage 20V/µs
Gain de bande passante Produit 4,5 MHz
Courant - Biais d'entrée 10pA
Tension - Décalage d'entrée 125 µV
Offre actuelle 560µA (canaux x2)
Courant - Sortie / Canal 75mA
Tension - Portée d'alimentation (Min) 2,7 V
Tension - Portée d'alimentation (Max) 16V
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TA)
Type de montage Montage en surface
Paquet/caisse 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 po, 3,00 mm de largeur)
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-VSSOP

 

Les caractéristiques deTLV9152QDGKRQ1

 

• AEC-Q100 qualifié pour les applications automobiles
– Niveau de température 1 : –40°C à +125°C, TA
– Appareil HBM classification ESD niveau 3A
– Appareil CDM ESD classification niveau C6
• Faible tension de décalage : ±125 µV
• Faible dérive de tension d'offset : ±0,3 µV/°C
• Faible bruit : 10,8 nV/√Hz à 1 kHz
• Réjection élevée en mode commun : 120 dB
• Courant de polarisation faible : ± 10 pA
• Entrée et sortie rail à rail
• Large bande passante : 4,5 MHz GBW
• Taux de balayage élevé : 21 V/µs
• Faible courant de repos : 560 μA par amplificateur
• Large alimentation : ±1,35 V à ±8 V, 2,7 V à 16 V
• Performances EMIRR robustes : filtres EMI/RFI sur les broches d'entrée
 

Applications deTLV9152QDGKRQ1

 

• Optimisé pour les applications AEC-Q100 de classe 1
• Infodivertissement et cluster
• Sécurité passive
• Électronique de carrosserie et éclairage
• Onduleur HEV/EV et contrôle moteur
• Chargeur embarqué (OBC) et sans fil
• Capteur de courant du groupe motopropulseur
• Systèmes avancés d'aide à la conduite (ADAS)
• Détection de courant haut et bas

 

Classifications environnementales et d'exportation deTLV9152QDGKRQ1

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS N'est pas applicable
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
ECCN EAR99
HTSUS 8542.33.0001

CIRCUIT 8VSSOP du généraliste 2 de la puce de mémoire de TLV9152QDGKRQ1 EMMC OPAMP 0

 

 

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