• DTD113EK T146 Transistor bipolaire pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
  • DTD113EK T146 Transistor bipolaire pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
DTD113EK T146 Transistor bipolaire pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW

DTD113EK T146 Transistor bipolaire pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre d'heures de travail est le suivant:

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Type de transistor: PNP - Pré-participation Fréquence - transition: 250 MHz
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 50 V Résistance - base (R1): kOhms 1
Résistance - base d'émetteur (R2): kOhms 1 Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 33 @ 50mA, 5V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 300 mV @ 250 μA, 5 mA Actuel - collecteur (IC) (maximum): 500nA

Description de produit

DTD113EK T146 Transistor bipolaire pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW
 
Les spécifications de Le nombre d'heures de travail est le suivant:

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples pré-biasés
Mfr Semi-conducteurs Rohm
Série Automobile, AEC-Q101
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor NPN - Pré-participation
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 500 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 50 V
Résistance - Base (R1) 1 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 1 kOhms
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 33 @ 50mA, 5V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 300 mV @ 2,5 mA, 50 mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 500 nA
Fréquence - Transition 200 MHz
Puissance maximale 200 mW
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le numéro de référence:
Numéro du produit de base DTD113

 
Caractéristiques du Le nombre d'heures de travail est le suivant:


1) Résistances de biais intégrées, R1 = R2 = 1 kW.
2) Les résistances de biais intégrées permettent la configuration d'un circuit d'onduleur sans connexion de résistances d'entrée externes (voir circuit interne).
3) Les résistances de biais se composent de résistances à film mince avec un isolement complet pour permettre un biais négatif
Ils ont également l'avantage d'éliminer complètement les effets parasitaires.
4) Seules les conditions d'allumage/d'arrêt doivent être réglées pour le fonctionnement, ce qui facilite la conception du circuit.
5) Types de PNP complémentaires: série DTB113EK
6) sans plomb et conforme à la réglementation RoHS.

 

 

 

Applications de Le nombre d'heures de travail est le suivant:

 

Circuit de commutation, circuit d'onduleur, circuit d'interface, circuit de pilote

 


Classifications environnementales et d'exportationLe nombre d'heures de travail est le suivant:

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTD113EK T146 Transistor bipolaire pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW 0
 

Vous voulez en savoir plus sur ce produit
Je suis intéressé à DTD113EK T146 Transistor bipolaire pré-biasé 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
Merci!
Dans l'attente de votre réponse.