• DTC143ZCAHZGT116 Transistor bipolaire pré-biasé NP 100 mA 250 MHz 350 mW
DTC143ZCAHZGT116 Transistor bipolaire pré-biasé NP 100 mA 250 MHz 350 mW

DTC143ZCAHZGT116 Transistor bipolaire pré-biasé NP 100 mA 250 MHz 350 mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: DTC143ZCAHZGT116

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: PNP - Pré-participation Fréquence - transition: 250 MHz
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 50V Résistance - base (R1): 4,7 kOhms
Résistance - base d'émetteur (R2): 47 kOhms Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 80 @ 10 mA, 5 V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 300 mV @ 250 μA, 5 mA Actuel - collecteur (IC) (maximum): 100 mA

Description de produit

DTC143ZCAHZGT116 Transistor bipolaire pré-biasé NP 100 mA 250 MHz 350 mW
 
Les spécifications de DTC143ZCAHZGT116

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples pré-biasés
Mfr Semi-conducteurs Rohm
Série Automobile, AEC-Q101
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor NPN - Pré-participation
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 100 mA
Résistance - Base (R1) 40,7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 47 kOhms
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10 mA, 5 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Courant - Coupe du collecteur (maximum) -
Fréquence - Transition 250 MHz
Puissance maximale 350 mW
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur SST3
Numéro du produit de base DTC143

 
Caractéristiques du DTC143ZCAHZGT116


1) Résistances de biais intégrées
2) Les résistances de biais intégrées permettent la configuration d'un circuit d'onduleur sans connexion de résistances d'entrée externes (voir circuit interne).
3) Les résistances de biais sont constituées de résistances à film mince avec isolation complète pour permettre un biais négatif de l'entrée.
4) Seules les conditions d'allumage/d'arrêt doivent être réglées pour le fonctionnement, ce qui facilite la conception du circuit.
5) Types de PNP complémentaires: DTA143ZCA HZG

 

 

 

 

Applications de DTC143ZCAHZGT116

 

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.

 

 


Classifications environnementales et d'exportationDTC143ZCAHZGT116

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTC143ZCAHZGT116 Transistor bipolaire pré-biasé NP 100 mA 250 MHz 350 mW 0
 

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