• DTA114EMT2L Transistor bipolaire 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface VMT3
DTA114EMT2L Transistor bipolaire 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface VMT3

DTA114EMT2L Transistor bipolaire 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface VMT3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le numéro de série DTA114

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: PNP - Pré-participation Actuel - collecteur (IC) (maximum): 50 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 50V Résistance - base (R1): 10 kOhms
Résistance - base d'émetteur (R2): 10 kOhms Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 20 @ 5mA, 5V

Description de produit

DTA114EMT2L Transistor bipolaire 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface VMT3
 

Les spécifications de Le numéro de téléphone est le DTA114EMT2L

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples pré-biasés
Mfr Semi-conducteurs Rohm
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor PNP - Préjugé
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 50 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 50 V
Résistance - Base (R1) 10 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 5mA, 5V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic Pour les appareils de traitement des ondes électriques
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 500 nA
Fréquence - Transition 250 MHz
Puissance maximale 150 mW
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier Le numéro de référence:
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur VMT3
Numéro du produit de base DTA114
   

 
Caractéristiques du Le numéro de téléphone est le DTA114EMT2L


1) Résistances de biais intégrées, R1 = R2 = 10kΩ
2) Les résistances de biais intégrées permettent la configuration d'un circuit d'onduleur sans connexion de résistances d'entrée externes (voir circuit interne).
3) Seules les conditions d'allumage/d'arrêt doivent être réglées pour le fonctionnement, ce qui facilite la conception du circuit.
4) Types de NPN complémentaires: série DTC114E

 

 

Applications de Le numéro de téléphone est le DTA114EMT2L


Le type d'appareil est le suivant:

 


Classifications environnementales et d'exportationLe numéro de téléphone est le DTA114EMT2L

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
DTA114EMT2L Transistor bipolaire 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Monture de surface VMT3 0
 

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