• BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Monture de surface PG-TDSON-8-5
BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Monture de surface PG-TDSON-8-5

BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Monture de surface PG-TDSON-8-5

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.

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Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Voltage d'évacuation à la source (Vdss): Pour l'électricité Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 15.2A (comité technique)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V
Vgs(th) (maximum) @ Id: 4V @ 30µA Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Vgs (maximum): ± 20 V Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Surligner:

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.

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Le système d'exploitation de l'appareil est basé sur les données fournies par le fabricant et est basé sur les données fournies par le fabricant.

Description de produit

BSC900N20NS3G N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Monture de surface PG-TDSON-8-5

 

Les spécifications deLe nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Les FET, les MOSFET
  Les FET simples et les MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Série OptiMOSTM
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de FET N-canal
Technologie MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) Pour l'électricité
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C 15.2A (Tc)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhm @ 7,6 A, 10 V
Vgs(th) (maximum) @ Id 4V @ 30μA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs 11.6 nC @ 10 V
Vgs (maximum) ± 20 V
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds 920 pF @ 100 V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 62.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
Emballage / boîtier 8-PowerTDFN
Numéro du produit de base BSC900

 
Caractéristiques du Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.


• Optimisé pour la conversion en courant continu
• N-canal, niveau normal
• Excellente charge de porte x R DS ((on) produit (FOM)
• faible résistance à l'alimentation R DS (alimentation)
• température de fonctionnement de 150 °C
• Plaquage au plomb sans Pb; conforme à la RoHS
• Qualifié selon la JEDEC1 pour une application ciblée
• sans halogène selon la norme IEC 61249-2-21

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLe nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'installation.

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3G N-Channel MOSFET IC 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Monture de surface PG-TDSON-8-5 0

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