• BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolaire Array 2 PNP (double) 30V 100mA 100MHz 500mW
BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolaire Array 2 PNP (double) 30V 100mA 100MHz 500mW

BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolaire Array 2 PNP (double) 30V 100mA 100MHz 500mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: 2 PNP (double) Actuel - collecteur (IC) (maximum): 100 mA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 420 @ 2mA, 5V Actuel - coupure de collecteur (maximum): 15nA (ICBO)
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 30 V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 650mV @ 5mA, 100mA
Puissance maximale: 500 MW Fréquence - transition: 100 MHz
Surligner:

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2.

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Transistors bipolaires BC858CDXV6T1G BJT

Description de produit

BC858CDXV6T1G Bipolaire (BJT) Transistors Array 2 PNP (double) 30V 100mA 100MHz 500mW

 

Les spécifications deLe nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Arrays de transistors bipolaires
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor 2 PNP (double)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 100 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 30 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 420 @ 2mA, 5V
Puissance maximale 500 mW
Fréquence - Transition 100 MHz
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le numéro de référence:
Numéro du produit de base BC858

 
Caractéristiques du Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2.

 

Ce sont des appareils sans Pb.

 

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLe nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2.

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

BC858CDXV6T1G BJT Transistor bipolaire Array 2 PNP (double) 30V 100mA 100MHz 500mW 0

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