• IPP320N20N3GXKSA MOSFET à canal N IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) à travers le trou PG-TO220-3
IPP320N20N3GXKSA MOSFET à canal N IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) à travers le trou PG-TO220-3

IPP320N20N3GXKSA MOSFET à canal N IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) à travers le trou PG-TO220-3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre total d'équipements utilisés est de:

Conditions de paiement et expédition:

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Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Voltage d'évacuation à la source (Vdss): Pour l'électricité Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 34A (comité technique)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 34A, 10 V
Vgs(th) (maximum) @ Id: 4V @ 90µA Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Vgs (maximum): ± 20 V Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
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Le nombre total d'équipements utilisés est de:

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Le système de mesure de la pollution par le gaz doit être conforme à la norme ISO/IEC 17049.

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IC MOSFET à canal N

Description de produit

IPP320N20N3GXKSA N-canal 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) à travers le trou PG-TO220-3

 

Les spécifications de Le nombre total d'équipements utilisés est de:

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Les FET, les MOSFET
  Les FET simples et les MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Série OptiMOSTM
Le paquet Tuyaux
Type de FET N-canal
Technologie MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) Pour l'électricité
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32 mOhm @ 34A, 10 V
Vgs(th) (maximum) @ Id 4V @ 90μA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs 29 nC @ 10 V
Vgs (maximum) ± 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds 2350 pF @ 100 V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) Le nombre de cycles est déterminé par le nombre de cycles.
Température de fonctionnement -55°C à 175°C (TJ)
Type de montage À travers le trou
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Emballage / boîtier TO-220-3
Numéro du produit de base Le nombre d'heures de travail

 

Les spécifications deLe nombre total d'équipements utilisés est de:


• N-canal, niveau normal
• Excellente charge de porte x R DS ((on) produit (FOM)
• très faible résistance à l'allumage R DS (allumage)
• température de fonctionnement de 175 °C
• Plaquage au plomb sans Pb; conforme à la RoHS
• Qualifié selon la JEDEC1 pour une application ciblée
• sans halogène selon la norme IEC 61249-2-21
• Idéal pour la commutation à haute fréquence et la rectification synchrone

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLe nombre total d'équipements utilisés est de:

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

IPP320N20N3GXKSA MOSFET à canal N IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) à travers le trou PG-TO220-3 0

 

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Je suis intéressé à IPP320N20N3GXKSA MOSFET à canal N IC 200 V 34A (Tc) 136W (Tc) à travers le trou PG-TO220-3 pourriez-vous m'envoyer plus de détails tels que le type, la taille, la quantité, le matériau, etc.
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