• MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - IC de mémoire NAND 1Gbit parallèle 48-TSOP
MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - IC de mémoire NAND 1Gbit parallèle 48-TSOP

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - IC de mémoire NAND 1Gbit parallèle 48-TSOP

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: MT29F1G08ABADAWP-ITX:D

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: 3 à 5 jours
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Format de mémoire: Flash Technologie: ÉCLAIR - NON-ET
Capacité de la mémoire: 1Gbit Organisation de mémoire: 128M x 8
Interface de mémoire: Parallèlement Voltage - alimentation: 2.7V à 3.6V
Température de fonctionnement: -40°C à 85°C (TA) Le paquet: Plateau
Surligner:

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D

,

ÉCLAIR Nand Memory IC

,

48-TSOP IC de mémoire

Description de produit

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - IC de mémoire NAND 1Gbit parallèle 48-TSOP
 
Le système de gestion des données est basé sur les données fournies par le système de gestion des données.
 
Les spécifications deMT29F1G08ABADAWP-ITX:D

 

Le type
Définition
Catégorie
Circuits intégrés (CI)
La mémoire
La mémoire
Mfr
Micron Technology Inc. est une société de technologie.
Série
-
Le paquet
Plateau
Statut du produit
Dépassé
Type de mémoire
Non volatils
Format de mémoire
Flash
Technologie
Flash - NAND
Taille de mémoire
1Gbit
Organisation de la mémoire
128 M x 8
Interface de mémoire
Parallèlement
Écrire le temps du cycle - mot, page
-
Voltage - alimentation
2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement
-40°C à 85°C (TA)
Type de montage
Monture de surface
Emballage / boîtier
48-TFSOP (0,724", largeur de 18,40 mm)
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur
48-TSOP I
Numéro du produit de base
MT2F1G08
   


Classifications environnementales et d'exportationMT29F1G08ABADAWP-ITX:D

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque 3A991B1A
HTSUS 8542.32.0071

 

MT29F1G08ABADAWP-ITX:D FLASH - IC de mémoire NAND 1Gbit parallèle 48-TSOP 0

 

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