• La mémoire de type SDRAM est fournie par un système de mémoire de type DDR3L.
La mémoire de type SDRAM est fournie par un système de mémoire de type DDR3L.

La mémoire de type SDRAM est fournie par un système de mémoire de type DDR3L.

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Type de mémoire: Le volatile Format de mémoire: DRACHME
Technologie: SDRAM - DDR3L Capacité de la mémoire: 4Gbit
Organisation de mémoire: 256M x 16 Interface de mémoire: Parallèlement
Fréquence du signal d'horloge: 800 MHz Écrivez la durée de cycle - Word, page: 15ns
Temps d'accès: 20 ns
Surligner:

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SDRAM IC de mémoire DDR3L

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IC de mémoire de 800 MHz

Description de produit

  L'utilisation de la mémoire de type SDRAM est autorisée pour les périphériques de type SDRAM.

 

Les données sont fournies par le système d'exploitation.

 

Les spécifications de Les produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

 

Le type Définition
Catégorie Circuits intégrés (CI)
La mémoire
Mfr ISSI, Solution intégrée au silicium Inc.
Série -
Le paquet Plateau
Statut du produit Dépassé
Type de mémoire Les produits de base
Format de mémoire DRAM
Technologie SDRAM - DDR3L
Taille de mémoire 4Gbit
Organisation de la mémoire 256 M x 16
Interface de mémoire Parallèlement
Fréquence d'horloge 800 MHz
Écrire le temps du cycle - mot, page 15 ans
Temps d'accès 20 ns
Voltage - alimentation 1.283V ~ 1.45V
Température de fonctionnement -40°C à 105°C (TC)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier 96-TFBGA
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le système de détection de la pollution est utilisé.
Numéro du produit de base Le produit est soumis à un contrôle d'approvisionnement.

 
Caractéristiquesde
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* Voltage standard: VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
* Basse tension (L): VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V
- Rétrospectivement compatible à 1,5 V
* Taux de transfert de données à grande vitesse avec fréquence système jusqu'à 1066 MHz
* 8 banques internes pour une opération simultanée
* Architecture de pré-remplacement 8n-bit
* La latence du CAS programmable
* latence additive programmable: 0, CL-1, CL-2
* latence d'écriture CAS programmable (CWL) basée sur tCK
* Longueur de sortie programmable: 4 et 8
* Séquence d'éclatement programmable: séquentielle ou interlie
* Commutateur BL à la volée
* Autorefresh automatique (ASR)
* Température de rafraîchissement automatique (SRT)
* Intervalle de mise à jour:
- 7,8 us (8192 cycles/ 64 ms) Tc= -40°C à 85°C
- 3,9 us (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 105°C
* Auto-renouvellement partiel de la matrice
* épingle de réinitialisation asynchrone
* TDQS (Termination Data Strobe) est pris en charge (x8 uniquement)
* OCD (réglage de l'impédance du pilote hors puce)
* ODT dynamique
* Force du conducteur: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
* Écrire le niveau
* Jusqu'à 200 MHz en mode DLL désactivé
* Température de fonctionnement:
- Commercial (TC = 0°C à +95°C)
- industriel (TC = -40°C à +95°C)
- Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
- Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)

 

 

ApplicationsdeLes produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.


La configuration:
- 512Mx8
- 256Mx16
Le paquet:
- BGA à 96 boules (9 mm x 13 mm) pour x16
- BGA à 78 boules (9 mm x 10,5 mm) pour x8

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLes produits doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 3 (168 heures)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8542.32.0036

 

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