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Tantale Chip Capacitor Mosfet N-ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | NVMFS5C430NWFAFT1G |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T, L/C |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Statut de produit: | Actif | Type de FET: | N-canal |
|---|---|---|---|
| Technologie: | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | Vidangez à la tension de source (Vdss): | 40 V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: | 35A (merci), 185A (comité technique) | Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: | 1.7mOhm @ 50A, 10V | Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | 3.5V @ 250µA |
Description de produit
Tantale Chip Capacitor Mosfet N-ch 40v 35a/185a 5dfn de NVMFS5C430NWFAFT1G
N-canal 40 V 35A (ventres), 185A (comité technique) 3.8W (merci), 106W (comité technique) bâti 5-DFN (5x6) (8-SOFL) de la surface
Caractéristiques de NVMFS5C430NWFAFT1G
| TYPE | DESCRIPTION |
| Catégorie | Produits semiconducteurs discrets |
| Transistors | |
| FETs, transistors MOSFET | |
| FETs simples, transistors MOSFET | |
| Mfr | onsemi |
| Série | Des véhicules à moteur, AEC-Q101 |
| Paquet | Bande et bobine (TR) |
| Coupez la bande (les CT) | |
| Statut de produit | Actif |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Vidangez à la tension de source (Vdss) | 40 V |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 35A (merci), 185A (comité technique) |
| Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 1.7mOhm @ 50A, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3.5V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 47 OR @ 10 V |
| Vgs (maximum) | ±20V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 3300 PF @ 25 V |
| Caractéristique de FET | - |
| Dissipation de puissance (maximum) | 3.8W (merci), 106W (comité technique) |
| Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paquet/cas | 8-PowerTDFN, 5 avances |
| Nombre bas de produit | NVMFS5 |
CARACTÉRISTIQUES de NVMFS5C430NWFAFT1G
• Petite empreinte de pas (5x6 millimètre) pour le design compact
• Le bas RDS (dessus) pour réduire au maximum des pertes de conduction
• Bas QG et capacité pour réduire au minimum le conducteur Losses
• Option mouillable de flanc de − de NVMFS5C430NWF pour l'inspection optique augmentée
• AEC−Q101 a qualifié et PPAP capable
• Ces dispositifs sont Pb−Free et sont RoHS conforme
Applications de NVMFS5C430NWFAFT1G
1. L'environnement d'application entier effectue les valeurs de résistance thermique montrées, elles ne sont pas des constantes et sont seulement valides pour les conditions particulières remarquables.
2. Surface−mounted sur FR4 le panneau utilisant des 650 mm2, 2 onces. Protection de Cu.
3. Le courant maximum pour des impulsions tant que 1 seconde est plus haute mais dépend de la durée d'impulsion et du coefficient d'utilisation.
Classifications environnementales et d'exportation de NVMFS5C430NWFAFT1G
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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