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NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Demi-Pont 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | NCV5183DR2G |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T, L/C |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Type d'entrée: | Non-inverser | Tension latérale élevée - maximum (amorce): | 600 V |
|---|---|---|---|
| Temps de hausse/automne (type): | 12ns, 12ns | Température de fonctionnement: | -40°C | 125°C (TJ) |
| Montage du type: | Bâti extérieur | Paquet/cas: | 8-SOIC (0,154", largeur de 3.90mm) |
| Paquet de dispositif de fournisseur: | 8-SOIC | Nombre bas de produit: | NCV5183 |
Description de produit
NCV5183DR2G Tvs Diode Smd Ic Gate Drvr Demi-Pont 8soic NCV5183DR2GOSCT-ND
Circuit d'attaque de porte en demi-pont IC non inverseur 8-SOIC
Spécifications du NCV5183DR2G
| TAPER | DESCRIPTION |
| Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
| Gestion de l'alimentation (PMIC) | |
| Pilotes de porte | |
| Fabricant | onsemi |
| Série | Automobile, AEC-Q100 |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| Bande coupée (CT) | |
| Digi-Reel® | |
| État du produit | Actif |
| Programmable Digi-Key | Non vérifié |
| Configuration pilotée | Demi-pont |
| Type de canal | Indépendant |
| Nombre de chauffeurs | 2 |
| Type de porte | MOSFET canal N |
| Tension - Alimentation | 9V ~ 18V |
| Tension logique - VIL, VIH | 1.2V, 2.5V |
| Courant - sortie de crête (source, puits) | 4.3A, 4.3A |
| Type d'entrée | Non-inverseur |
| Tension côté haute - Max (Bootstrap) | 600V |
| Temps de montée/descente (Typ) | 12ns, 12ns |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Paquet/caisse | 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur) |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
| Numéro de produit de base | NCV5183 |
Les caractéristiques deNCV5183DR2G
•Automobile Qualifié AEC Q100
•Plage de tension : jusqu'à 600 V•Immunité dV/dt
•Gamme d'alimentation Gate Drive de 9 V à 18 V
•Capacité de courant source/puits de sortie 4,3 A / 4,3 A
•Compatible logique d'entrée 3,3 V et 5 V
•Oscillation de tension de broche de pont négative étendue autorisée à –10 V
•Délais de propagation correspondants entre les deux canaux
•Délai de propagation 120 ns typiquement
•Sous verrouillage VCC (UVLO) pour les deux canaux
•Compatible broche à broche avec les normes de l'industrie
•Ce sont des appareils sans Pb
Applications deNCV5183DR2G
•Alimentations pour Telecom et Datacom
•Convertisseurs demi-pont et pont complet
•Convertisseurs push-pull
•Convertisseurs abaisseurs synchrones haute tension
Classifications environnementales et d'exportation deNCV5183DR2G
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Illimité) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
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