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IS61WV5128EDBLL-10BLI IC électronique ébrèche le PARALLÈLE 36TFBGA d'IC Sram 4MBIT
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | IS61WV5128EDBLL-10BLI |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T, L/C |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Temps de cycle d'écriture - mot, page: | 10ns | Temps d'accès: | 10 NS |
|---|---|---|---|
| Tension - approvisionnement: | 2.4V | 3.6V | Température de fonctionnement: | -40°C | 85°C (VENTRES) |
| Montage du type: | Bâti extérieur | Paquet/cas: | 36-TFBGA |
| Paquet de dispositif de fournisseur: | 36-TFBGA (6x8) | Nombre bas de produit: | IS61WV5128 |
| Surligner: | IS61WV5128EDBLL-10BLI,PARALLÈLE 36TFBGA d'IC Sram 4MBIT,IS61WV5128EDBLL-10BLI IC Sram |
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Description de produit
Module sans fil IC Sram 4mbit 36tfbga parallèle d'IS61WV5128EDBLL-10BLI rf
Module sans fil IC Sram 4mbit 36tfbga parallèle d'IS61WV5128EDBLL-10BLI rf
SRAM - Mémoire asynchrone IC 4Mbit 10 parallèles NS 36-TFBGA (6x8)
Caractéristiques d'IS61WV5128EDBLL-10BLI
| TYPE | DESCRIPTION |
| Catégorie | Circuits intégrés (IC) |
| Mémoire | |
| Mémoire | |
| Mfr | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Série | - |
| Paquet | Plateau |
| Statut de produit | Actif |
| Digi-clé programmable | Non vérifié |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Capacité de la mémoire | 4Mbit |
| Organisation de mémoire | 512K X 8 |
| Interface de mémoire | Parallèle |
| Écrivez la durée de cycle - Word, page | 10ns |
| Temps d'accès | 10 NS |
| Tension - approvisionnement | 2.4V | 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40°C | 85°C (VENTRES) |
| Montage du type | Bâti extérieur |
| Paquet/cas | 36-TFBGA |
| Paquet de dispositif de fournisseur | 36-TFBGA (6x8) |
| Nombre bas de produit | IS61WV5128 |
Caractéristiques d'IS61WV5128EDBLL-10BLI
• Temps d'accès haut débit : 8, 10 NS
• Bas Active Power : 85 mW (typiques)
• Basse alimentation générale : remplaçant de 7 mW CMOS (typique)
• Alimentation d'énergie simple
— Vdd 2.4V à 3.6V (10 NS)
— ± 10% (8 NS) de Vdd 3.3V
• Opération entièrement statique : aucune horloge ou ne régénèrent requis
• Trois sorties d'état
• Appui industriel et des véhicules à moteur de la température
• Disponible sans plomb
• Détection des erreurs et de correction d'erreurs
Applications d'IS61WV5128EDBLL-10BLI
L'ISSI IS61/64WV5128EDBLL est un ultra-rapide, les mémoires RAM 4,194,304-bit statiques organisées en tant que 524 288 mots par 8 bits. Il est fabriqué utilisant la haute-performanceCMOS technologie d'ISSI. Ce processus fortement fiable ajouté aux techniques de conception innovatrices de circuit, rapporte performant
et dispositifs de consommation de puissance faible.
Quand le CE est HAUT (ne pas sélectionner), le dispositif assume un mode veille auquel le canbe de dissipation de puissance a réduit vers le bas avec des niveaux saisie de CMOS. L'ajout de mémoire facile est fourni à l'aide du ChipEnable et la sortie permettent les entrées, le CE et l'OE. Le BAS actif écrivent permettent (NOUS) commande l'écriture et la lecture de la mémoire. L'IS61/64WV5128EDBLL est empaqueté dans le JEDEC 44-pinTSOP-II standard, SOJ de 36 bornes et 36 goupille mini BGA (6mm x 8mm).
Classifications environnementales et d'exportation d'IS61WV5128EDBLL-10BLI
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
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