• M95512-WMN6TP Téléviseurs Diode Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
M95512-WMN6TP Téléviseurs Diode Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd

M95512-WMN6TP Téléviseurs Diode Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: M95512-WMN6TP

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement: 100 000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Statut de produit: Actif Digi-clé programmable: Vérifié
Type de mémoire: Non-volatile Format de mémoire: EEPROM
Technologie: EEPROM Capacité de la mémoire: 512Kbit
Organisation de mémoire: 64K X 8 Interface de mémoire: SPI

Description de produit

M95512-WMN6TP Téléviseurs Diode Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd
 

Mémoire EEPROM IC 512Kbit SPI 16 MHz 8-SOIC

 

Spécifications deM95512-WMN6TP

 

TAPER DESCRIPTION
Catégorie Circuits intégrés (CI)
Mémoire
Mémoire
Fabricant STMicroelectronics
Série -
Emballer Bande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
État du produit Actif
Programmable Digi-Key Vérifié
Type de mémoire Non volatile
Formatage de la mémoire EEPROM
Technologie EEPROM
Taille mémoire 512Kbit
Organisation de la mémoire 64K x 8
Interface mémoire IPS
Fréquence d'horloge 16 MHz
Temps de cycle d'écriture - mot, page 5ms
Tension - Alimentation 2.5V ~ 5.5V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage Montage en surface
Paquet/caisse 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
Ensemble d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Numéro de produit de base M95512

 

Les caractéristiques deM95512-WMN6TP

 
• Compatible avec le bus d'interface périphérique série (SPI)
• Matrice de mémoire
– 512-Kbit (64-Kbyte) d'EEPROM
– Taille de la page : 128 octets
– Page supplémentaire verrouillable en écriture (page d'identification)
• Temps d'écriture
– Byte Write dans les 5 ms
– Écriture de page dans les 5 ms
• Protection en écriture
– quart de tableau
– demi-tableau
– toute la matrice mémoire
• Horloge haute vitesse : 16 MHz
• Tension d'alimentation unique :
– 2,5 V à 5,5 V pour M95512-W
– 1,8 V à 5,5 V pour M95512-R
– 1,7 V à 5,5 V pour M95512-DF
• Plage de température de fonctionnement : de -40 °C à +85 °C
• Protection ESD améliorée
• Plus de 4 millions de cycles d'écriture
• Plus de 200 ans de conservation des données
• Paquets
– SO8N (ECOPACK2)
– TSSOP8 (ECOPACK2)
– UFDFPN8 (ECOPACK2)
– WLCSP8 (ECOPACK2)
 

Éteindre deM95512-WMN6TP

 
Pendant la mise hors tension (diminution continue de la tension d'alimentation VCC en dessous du minimum VCCtension de fonctionnementdéfinis dans la section 9 Paramètres CC et CA), l'appareil doit être :
• désélectionné (Chip select S doit être autorisé à suivre la tension appliquée sur VCC)
• en mode veille (il ne doit pas y avoir de cycle d'écriture interne en cours)
 

Classifications environnementales et d'exportation deM95512-WMN6TP

 
ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS 8542.32.0051

 

M95512-WMN6TP Téléviseurs Diode Smd Ic Eeprom 512kbit Spi 8soic 497-8697-1-Nd 0

 

 
 

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