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IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM 1GBIT PARALLÈLE 84TWBGA
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | Is43dr16640b-25dbli-Tr |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T, L/C |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Temps de cycle d'écriture - mot, page: | 15ns | Temps d'accès: | 400 picosecondes |
|---|---|---|---|
| Tension - approvisionnement: | 1.7V | 1.9V | Température de fonctionnement: | -40°C | 85°C (VENTRES) |
| Montage du type: | Bâti extérieur | Paquet/cas: | 84-TFBGA |
| Paquet de dispositif de fournisseur: | 84-TWBGA (8x12.5) | Nombre bas de produit: | IS43DR16640 |
| Surligner: | IS43DR16640B-25DBLI-TR IC DRAM,IC DRAM 1GBIT PARALLÈLE 84TWBGA,DRAM IC 1GBIT PARALLÈLE 84TWBGA |
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Description de produit
Is25lp040e-Jnle-Tr Module RF sans fil IC Flash 4mbit Spi/Quad 8soic
Is43dr16640b-25dbli-Tr Module RF sans fil Ic Dram 1gbit Parallèle 84twbga
SDRAM - CI mémoire DDR2 1Gbit Parallèle 400 MHz 400 ps 84-TWBGA (8x12.5)
Spécifications de Is43dr16640b-25dbli-Tr
| TAPER | DESCRIPTION |
| Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
| Mémoire | |
| Mémoire | |
| Fabricant | ISSI, Solution Silicium Intégrée Inc |
| Série | - |
| Emballer | Bande et bobine (TR) |
| État du produit | Pas pour les nouveaux designs |
| Programmable Digi-Key | Non vérifié |
| Type de mémoire | Volatil |
| Formatage de la mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM-DDR2 |
| Taille mémoire | 1Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 400 MHz |
| Temps de cycle d'écriture - mot, page | 15ns |
| Temps d'accès | 400 ps |
| Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage | Montage en surface |
| Paquet/caisse | 84-TFBGA |
| Ensemble d'appareils du fournisseur | 84-TWBGA (8x12.5) |
| Numéro de produit de base | IS43DR16640 |
Les caractéristiques deIs43dr16640b-25dbli-Tr
Fréquence d'horloge jusqu'à 400 MHz
8 banques internes pour un fonctionnement simultané
Architecture de prélecture 4 bits
Latence CAS programmable : 3, 4, 5, 6 et 7
Latence additive programmable : 0, 1, 2, 3, 4,5et 6
Latence d'écriture = Latence de lecture-1
Séquence de rafales programmable : séquentielle ouEntrelacer
Longueur de rafale programmable : 4 et 8
Commande de précharge automatique et contrôlée
Mode hors tension
Actualisation automatique et auto-actualisation
Intervalle de rafraîchissement : 7,8 s (8192 cycles/64 ms)
ODT (terminaison sur matrice)
Option de pilote de sortie de données de faible puissance
Stroboscope de données différentiel bidirectionnel(Le stroboscope de données asymétrique est une fonctionnalité facultative)
La DLL sur puce aligne les transitions DQ et DQavecTransitions CK
DQS # peut être désactivé pour les données asymétriquesstroboscope
Lire Data Strobe pris en charge (x8 uniquement)
Entrées d'horloge différentielles CK et CK#
VDD et VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
PASR (auto-actualisation partielle de la matrice)
ApplicationsdeIs43dr16640b-25dbli-Tr
Interface SSTL_18
Verrouillage tRAS pris en charge
Température de fonctionnement :Commercial (TA = 0°C à 70°C ; TC = 0°C à85°C)Industriel (TA = -40°C à 85°C ; TC = -40°Cà 95°C)Automobile, A1 (TA = -40°C à 85°C ; TC = -40°C à 95 °C)Automobile, A2 (TA = -40°C à 105°C ; TC = -40°C à105°C)
Classifications environnementales et d'exportation deIs43dr16640b-25dbli-Tr
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
| Statut RoHS | Conforme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| Statut REACH | REACH non affecté |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0032 |
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