• Ipd60r1k0ceauma1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3
Ipd60r1k0ceauma1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Ipd60r1k0ceauma1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: IPD60R1K0CEAUMA1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement: 100 000
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Détail Infomation

Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 3170 PF @ 25 V Caractéristique de FET: -
Dissipation de puissance (maximum): 94W (comité technique) Température de fonctionnement: -55°C | 175°C (TJ)
Montage du type: Bâti extérieur Paquet de dispositif de fournisseur: PG-TO252-3-313
Paquet/cas: TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 Nombre bas de produit: IPD60N10

Description de produit

IPD60N10S4L-12 MODULE RF SANS FIL MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3

 

Canal N 100 V 60 A (Tc) 94 W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-313

 

Spécifications deIPD60R1K0CEUMA1

 

TAPER DESCRIPTION
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Transistors
FET, MOSFET
FET simples, MOSFET
Fabricant Infineon Technologies
Série Automobile, AEC-Q101, HEXFET®
Emballer Bande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
État du produit Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss) 100V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 60A (TC)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhms à 60 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 2,1 V à 46 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC à 10 V
Vg (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3170 pF à 25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (maximale) 94W (TC)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur PG-TO252-3-313
Paquet/caisse TO-252-3, DPak (2 fils + languette), SC-63
Numéro de produit de base IPD60N10

 

Les caractéristiques deIPD60R1K0CEUMA1

 

• Canal N - Mode d'amélioration
• Qualifié AEC
• MSL1 jusqu'à 260 °C de refusion maximale
• Température de fonctionnement de 175 °C
• Produit vert (conforme RoHS)
• Testé à 100 % contre les avalanches
 

ApplicationsdeIPD60R1K0CEUMA1

 

Pour plus d'informations sur la technologie, la livraisonconditions et tarifs, merci de contacterle bureau Infineon Technologies le plus proche (www.
infineon.com).
 

Classifications environnementales et d'exportation deIPD60R1K0CEUMA1

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

Ipd60r1k0ceauma1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 100v 60a To252-3 0

 

 

 

 



 

 

 

 

 

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