• BSC900N20NS3GATMA1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
BSC900N20NS3GATMA1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

BSC900N20NS3GATMA1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: BSC900N20NS3GATMA1

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T, L/C
Capacité d'approvisionnement: 100 000
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Détail Infomation

Statut de produit: Actif Type de FET: N-Channelxer
Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal) Vidangez à la tension de source (Vdss): 200 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C: 15.2A (comité technique) Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: 90mOhm @ 7.6A, 10V Identification de Vgs (Th) (maximum) @: 4V @ 30µA

Description de produit

BSC900N20NS3GATMA1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8
 

Canal N 200 V 15,2 A (Tc) 62,5 W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-5

 

Spécifications deBSC900N20NS3GATMA1

 

TAPER DESCRIPTION
Catégorie Produits semi-conducteurs discrets
Transistors
FET, MOSFET
FET simples, MOSFET
Fabricant Infineon Technologies
Série OptiMOS™
Emballer Bande et bobine (TR)
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
État du produit Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain à source (Vdss) 200V
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C 15.2A (TC)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90 mOhms à 7,6 A, 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 11,6 nC à 10 V
Vg (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 920 pF à 100 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (maximale) 62.5W (TC)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Ensemble d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8-5
Paquet/caisse 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base BSC900

 

Les caractéristiques deBSC900N20NS3GATMA1

 

• Optimisé pour la conversion dc-dc
• Canal N, niveau normal
• Excellente charge de grille x produit R DS(on) (FOM)
• Faible résistance à l'état passant R DS(on)
• Température de fonctionnement de 150 °C
• Placage de plomb sans plomb ;Conforme RoHS
• Qualifié selon JEDEC1) pour l'application cible
• Sans halogène selon IEC61249-2-21

 

Informations deBSC900N20NS3GATMA1

 

Pour plus d'informations sur la technologie, les conditions de livraison et les prix, veuillez contacter le bureau Infineon Technologies le plus proche (www.infineon.com).

 

Classifications environnementales et d'exportation deBSC900N20NS3GATMA1

 

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut RoHS Conforme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Illimité)
Statut REACH REACH non affecté
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

BSC900N20NS3GATMA1 Module RF sans fil Mosfet N-Ch 200v 15.2a Tdson-8 0



 

 

 

 

 

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