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TPH2R306NH1, bâti extérieur à l'avance du N-canal 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP de LQ
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | original |
| Nom de marque: | Original |
| Certification: | Original |
| Numéro de modèle: | TPH2R306NH1, LQ |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | jours 1-3working |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100 000 |
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Détail Infomation |
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| Numéro de la pièce: | TPH2R306NH1, LQ | Type de FET: | N-canal |
|---|---|---|---|
| Vidangez à la tension de source (Vdss): | 60 V | Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): | 6.5V, 10V |
| Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | 4V @ 1mA | Vgs (maximum): | ±20V |
Description de produit
TPH2R306NH1, bâti extérieur à l'avance du N-canal 60 V 136A 800mW 170W 8-SOP de LQ
N-canal 60 V 136A (comité technique) 800mW (merci), avance extérieure du bâti 170W (comité technique) 8-SOP (5x5.75)
Caractéristiques de TPH2R306NH1, LQ
Type N-canal de FET
Transistor MOSFET de technologie (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss) 60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C 136A (comité technique)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6.5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs 2.3mOhm @ 50A, 10V
Identification 4V @ 1mA de Vgs (Th) (maximum) @
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs 72 OR @ 10 V
Vgs ±20V (maximum)
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds 6100 PF @ 30 V
Dissipation de puissance 800mW (maximum) (merci), 170W (comité technique)
Caractéristiques de TPH2R306NH1, LQ
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Mfr
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Semi-conducteur et stockage de Toshiba
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Série
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U-MOSVIII-H
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Produit
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TPH2R306NH1, LQ
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Type de FET
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N-canal
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| Paquet | Bande et bobine |
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Technologie
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Transistor MOSFET (oxyde de métal)
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Vidangez à la tension de source (Vdss)
|
60 V
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Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
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136A (comité technique)
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Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
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6.5V, 10V
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Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
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2.3mOhm @ 50A, 10V
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @
|
4V @ 1mA
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Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
|
72 OR @ 10 V
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Vgs (maximum)
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±20V
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Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
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6100 PF @ 30 V
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Caractéristique de FET
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-
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Dissipation de puissance (maximum)
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800mW (merci), 170W (comité technique)
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Température de fonctionnement
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150°C
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Montage du type
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Bâti extérieur
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Paquet de dispositif de fournisseur
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Avance 8-SOP (5x5.75)
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Paquet/cas
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8-PowerTDFN
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Classifications environnementales et d'exportation
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
|---|---|
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
