• Bâti extérieur SMA de la diode 100 V 1A d'ES1B-13-F
Bâti extérieur SMA de la diode 100 V 1A d'ES1B-13-F

Bâti extérieur SMA de la diode 100 V 1A d'ES1B-13-F

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: original
Nom de marque: Original
Certification: Original
Numéro de modèle: ES1B-13-F

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: jours 1-3working
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100 000
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Détail Infomation

Numéro de la pièce: ES1B-13-F Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum): 100 V
Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si: 920 système mv @ 1 A Vitesse: =< rapide 500ns de récupération, > 200mA (E/S)
Paquet/cas: DO-214AC, SMA Température de fonctionnement - jonction: -55°C | 150°C

Description de produit

Bâti extérieur DO-214AC (SMA) de la diode 100 V 1A d'ES1B 100 V -55°C | 150°C

 

Bâti extérieur SOD-123F de la diode Zener 15 V 375 mW ±6%

 

Caractéristiques d'ES1B-13-F

 

    De verre passivés meurent construction
temps de rétablissement ultra-rapide de  pour le rendement élevé
le  augmentent la température de surcharge à la crête 30A
le  a dans le meilleur des cas adapté pour l'Assemblée automatisée
finition sans plomb de  ; RoHS conforme (notes 1 et 2)
l'halogène et l'antimoine de  libèrent le dispositif « vert » (note 3)

le verre de  a passivé meurent construction
temps de rétablissement ultra-rapide de  pour le rendement élevé
le  augmentent la température de surcharge à la crête 30A
le  a dans le meilleur des cas adapté pour l'Assemblée automatisée
finition sans plomb de  ; RoHS conforme (notes 1 et 2)
l'halogène et l'antimoine de  libèrent le dispositif « vert » (note 3)

 

Attributs de produit d'ES1B-13-F

 

TYPE
DESCRIPTION
Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
Diodes
Redresseurs
Diodes simples
Mfr
Diodes incorporées
Série
-
Paquet Bande et bobine
Statut de produit
Actif
Technologie
Norme
Tension - inverse de C.C (Vr) (maximum)
100 V
Actuel - moyenne rectifiée (E/S)
1A
Tension - en avant (Vf) (maximum) @ si
920 système mv @ 1 A
Vitesse
Récupération rapide =< 500ns=""> 200mA (E/S)
Temps de rétablissement inverse (trr)
25 NS
Actuel - fuite inverse @ Vr
µA 5 @ 100 V
Capacité @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet/cas
DO-214AC, SMA
Paquet de dispositif de fournisseur
SMA
Température de fonctionnement - jonction
-55°C | 150°C
Nombre bas de produit
ES1B

 

gamme (̊ −10

Classifications environnementales et d'exportation


avec l'exactitude améliorée). La série LM35 est paquet disponible

ATTRIBUT DESCRIPTION
Statut de RoHS ROHS3 conforme
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) 1 (illimité)
Statut de PORTÉE ATTEIGNEZ inchangé
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

 

Bâti extérieur SMA de la diode 100 V 1A d'ES1B-13-F 0

 

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