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IS64LV25616AL-12TLA3 SRAM - Mémoire IC asynchrone 4Mbit parallèle à 12 Ns 44-TSOP II
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement. |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | boîte en carton |
| Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
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Détail Infomation |
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| Type de mémoire: | Les produits de base | Format de mémoire: | SRAM |
|---|---|---|---|
| SRAM - Asynchrone: | SRAM - Asynchrone | Taille de mémoire: | 4Mbit |
| Organisation de la mémoire: | 256K x 16 | Interface de mémoire: | Parallèlement |
| Écrire le temps du cycle - mot, page: | 12ns | Voltage - alimentation: | 3.135V | 3.6V |
| Surligner: | Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.,Le système est équipé d'un système de mémoire de type ASINCHRON,SRAM - IC de mémoire asynchrone |
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Description de produit
La RAM est une mémoire à mémoire asynchrone IC 4Mbit parallèle 12 ns 44-TSOP II.
Les spécifications de Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
| Le type | Définition |
| Catégorie | Circuits intégrés (CI) |
| La mémoire | |
| La mémoire | |
| Mfr | ISSI, Solution intégrée au silicium Inc. |
| Série | - |
| Le paquet | Plateau |
| Type de mémoire | Les produits de base |
| Format de mémoire | SRAM |
| Technologie | SRAM - Asynchrone |
| Taille de mémoire | 4Mbit |
| Organisation de la mémoire | 256K x 16 |
| Interface de mémoire | Parallèlement |
| Écrire le temps du cycle - mot, page | 12 ans |
| Temps d'accès | 12 ns |
| Voltage - alimentation | 3.135V à 3.6V |
| Température de fonctionnement | -40 °C à 125 °C (TA) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 44-TSOP (0,400", largeur de 10,16 mm) |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 44-TSOP II |
| Numéro du produit de base | Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité supérieure. |
CaractéristiquesdeLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
• Temps d'accès à grande vitesse: 10, 12 ns
• Fonctionnement CMOS à faible consommation
• Faible puissance en veille: moins de 5 mA (typique) en veille CMOS
• Niveaux d'interface compatibles avec TTL
• alimentation unique de 3,3 V
• Fonctionnement entièrement statique: pas besoin d'horloge ni de rafraîchissement
• Trois résultats nationaux
• Contrôle des données pour les octets supérieurs et inférieurs
• Température industrielle disponible
• Offres de température:
- Option A1: de 40 à + 85 °C
- Option A2: de 40 °C à + 105 °C
- Option A3: de 40 °C à + 125 °C
• Disponible sans plomb
Applications deLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
L'ISSI IS64LV25616AL est un appareil de haute vitesse, 4,194Une mémoire vive statique de 304 bits organisée en 262 144 mots par 16 bits.
Classifications environnementales et d'exportationLe produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement.
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 3 (168 heures) |
| Statut REACH | REACH Non affecté |
| Nom de la banque | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
