• IPB64N25S3-20 MOSFET IC à canal N 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Monture de surface PG-TO263-3-2
IPB64N25S3-20 MOSFET IC à canal N 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Monture de surface PG-TO263-3-2

IPB64N25S3-20 MOSFET IC à canal N 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Monture de surface PG-TO263-3-2

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de FET: N-canal Technologie: Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 250 V Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 64A (comité technique)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 64A, 10 V
Vgs(th) (maximum) @ Id: 4V @ 270μA Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Surligner:

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance.

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Le système de commande de l'équipement doit être équipé d'un système de commande de l'équipement de commande.

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IC MOSFET à canal N

Description de produit

IPB64N25S3-20 N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Monture de surface PG-TO263-3-2

 

Les spécifications de Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Les FET, les MOSFET
  Les FET simples et les MOSFET
Mfr Infineon Technologies
Série OptiMOSTM
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de FET N-canal
Technologie MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) Pour les appareils électroniques
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C Le nombre de sièges est le suivant:
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 64A, 10 V
Vgs(th) (maximum) @ Id 4V @ 270μA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs 89 nC @ 10 V
Vgs (maximum) ± 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds Pour les appareils à sous tension
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 300 W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C à 175°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le nombre de personnes concernées par les mesures de protection
Emballage / boîtier TO-263-3, D2Pak (2 plombs + onglet), TO-263AB
Numéro du produit de base Pour les appareils de surveillance de la sécurité

 
Caractéristiques du Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance.


• N-canal - mode d'amélioration
• qualifiée AEC
• MSL1 jusqu'à 260°C reflux de pointe
• température de fonctionnement de 175°C
 

 


 
Applications de Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance.

 

• Produit vert (conforme à la RoHS)
• 100% testé par Avalanche

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLe nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'indicateur de puissance.

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

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