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SI7938DP-T1-GE3 Mosfet Array 40V 60A 46W Montage de surface PowerPAK® SO-8 double
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
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Détail Infomation |
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| Configuration: | N-canal 2 (double) | Voltage d'évacuation à la source (Vdss): | 40 V |
|---|---|---|---|
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: | 60A | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 5Pour les appareils à induction, la valeur de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure à |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.5V @ 250µA | Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | Pour les appareils à commande numérique |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: | Pour les appareils à commande numérique | Puissance maximale: | 46W |
Description de produit
SI7938DP-T1-GE3 Mosfet Array 40V 60A 46W Montage de surface PowerPAK® SO-8 double
Les spécifications de Les données sont fournies par les autorités compétentes.
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors et appareils électroniques | |
| Les FET, les MOSFET | |
| Les séquences FET, MOSFET | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Tape à découper (CT) | |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Configuration | 2 canaux N (double) |
| Caractéristique FET | - |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 40 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | 60A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Pour les appareils à induction, la valeur de l'électricité utilisée doit être égale ou supérieure à: |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 2.5V @ 250μA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | Pour les appareils à commande numérique |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | Pour les appareils à commande numérique |
| Puissance maximale | 46 W |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | Le système de détection des émissions de CO2 |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le système de détection des émissions de CO2 |
| Numéro du produit de base | Le nombre de personnes concernées |
Caractéristiques du Les données sont fournies par les autorités compétentes.
• MOSFET de puissance TrenchFET®
• 100% Rg et UIS testés
Applications de Les données sont fournies par les autorités compétentes.
• POL
• DC/DC
Environnementale etClassifications de l'exportation de Les données sont fournies par les autorités compétentes.
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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