• MMBT2907ALT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW
MMBT2907ALT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

MMBT2907ALT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: MMBT2907ALT1G

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: PNP Actuel - collecteur (IC) (maximum): 600 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 60 V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 1.6V @ 50mA, 500mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum): 10nA (ICBO) Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Puissance maximale: 300mW Fréquence - transition: 200 MHz

Description de produit

MMBT2907ALT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW


Les spécifications de Le numéro d'identification du véhicule:

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 600 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 60 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) 10nA (ICBO)
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Puissance maximale 300 mW
Fréquence - Transition 200 MHz
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les dispositions de la présente directive.
Numéro du produit de base Les États membres doivent fournir les informations suivantes:

 
Caractéristiques du MMBT2907ALT1G


• préfixe S pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques de changement de site et de contrôle;

AEC-Q101 Qualifié et apte au PPAP
• Ces dispositifs sont exempts de Pb−, d'halogène/de BFR et sont conformes à la norme RoHS.
 
Applications deLe numéro d'identification du véhicule:


2F = Code du dispositif
M = Code de la date*
* Date Indication du code et/ou barre supérieure
varient selon le lieu de fabrication.
 
Environnementale etClassifications de l'exportation de 
Le numéro d'identification du véhicule:
 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 
MMBT2907ALT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 60 V 600 mA 200MHz 300 mW 0

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