• SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8
SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8

SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 40 V Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 58A (comité technique)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.5V @ 250µA Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 55 OR @ 10 V
Vgs (maximum): ± 20 V Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 2450 pF @ 20 V
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SQJ858AEP-T1_GE3 SMd ic

,

40 V par heure

Description de produit

SQJ858AEP-T1_GE3 N-Channel 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) Montage de surface PowerPAK® SO-8


Les spécifications deLe nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Les FET, les MOSFET
  Les FET simples et les MOSFET
Mfr Vishay Siliconix
Série Pour l'automobile, AEC-Q101, TrenchFET®
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de FET N-canal
Technologie MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) 40 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C Le nombre total de points de contrôle
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (maximum) @ Id 2.5V @ 250μA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs 55 nC @ 10 V
Vgs (maximum) ± 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds 2450 pF @ 20 V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 48 W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C à 175°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier Pour les appareils électroniques
Numéro du produit de base SQJ858

 

Caractéristiques du Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.


• MOSFET de puissance TrenchFET®
• AEC-Q101 Qualifié
• 100% Rg et UIS testé

 


Environnementale etClassifications de l'exportation de Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.
 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

SQJ858AEP-T1_GE3 Smd Ic N Canal 40 V 58A (Tc) 48W (Tc) PowerPAK® SO-8 0

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