• STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) à travers le trou TO-220
STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) à travers le trou TO-220

STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) à travers le trou TO-220

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: STP11N60DM2

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: Boîte de carton
Délai de livraison: 3 à 5 jours
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 1000
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Détail Infomation

Voltage d'évacuation à la source (Vdss): 600 V ou plus Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 10A (comité technique)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 10 V Rds On (Max) @ Id, Vgs: Pour les appareils de traitement des gaz:
Vgs(th) (maximum) @ Id: 5V @ 250µA Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Vgs (maximum): ±25V Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 614 pF @ 100 V

Description de produit

STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) à travers le trou TO-220
 
Les spécifications deSTP11N60DM2
 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Les FET, les MOSFET
  Les FET simples et les MOSFET
Mfr STMicroélectronique
Série MDmeshTM DM2
Le paquet Tuyaux
Type de FET N-canal
Technologie MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) 600 V ou plus
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs Pour les appareils de traitement des gaz:
Vgs(th) (maximum) @ Id 5V @ 250μA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs 16.5 nC @ 10 V
Vgs (maximum) ± 25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds 614 pF @ 100 V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 110 W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage À travers le trou
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur TO-220
Emballage / boîtier TO-220-3
Numéro du produit de base STP11

 
 
Caractéristiques du
STP11N60DM2


• Diode de corps à récupération rapide
• Charge extrêmement faible de la porte et capacité d'entrée
• Faible résistance
• 100% testé en avalanche
• Dureté extrêmement élevée
• Protégé par Zener
 
Applications de
STP11N60DM2

 

• Échange d'applications


Classifications environnementales et d'exportationSTP11N60DM2
 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 
STP11N60DM2 N-Channel 600 V 10A (Tc) 110W (Tc) à travers le trou TO-220 0

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