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Si4925BDY-T1-E3 puce de circuit intégré Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Monture de surface
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | SI4925BDY-T1-E3 |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 3 à 5 jours |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 |
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Détail Infomation |
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| Technologie: | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | Configuration: | P-canal 2 (double) |
|---|---|---|---|
| Caractéristique de FET: | Porte de niveau de logique | Voltage d'évacuation à la source (Vdss): | 30V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: | 5.3A | Rds On (Max) @ Id, Vgs: | Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou sup |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 3V @ 250µA | Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 50nC @ 10V |
Description de produit
Si4925BDY-T1-E3 puce de circuit intégré Mosfet Array 30V 5.3A 1.1W Monture de surface
Les spécifications deSi4925BDY-T1-E3
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors et appareils électroniques | |
| Les FET, les MOSFET | |
| Les séquences FET, MOSFET | |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Série | TrenchFET® |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Tape à découper (CT) | |
| Statut du produit | Actif |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Configuration | 2 canaux P (double) |
| Caractéristique FET | Porte de niveau logique |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 30 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | 5.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou supérieure à: |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 3 V @ 250 μA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | - |
| Puissance maximale | 1.1W |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | 8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm) |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | 8-SOIC |
| Numéro du produit de base | Le nombre de personnes concernées |
Caractéristiques duSi4925BDY-T1-E3
• sans halogène Conformément à la définition de la CEI 61249-2-21
• MOSFET de puissance TrenchFET®
• Conforme à la directive RoHS 2002/95/CE
Applications deSi4925BDY-T1-E3
• Commutateurs de charge
- Les ordinateurs portables
- Les ordinateurs de bureau
- Les stations de jeux
Classifications environnementales et d'exportationSi4925BDY-T1-E3
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
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