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Transistor bipolaire pré-biasé EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | originaux |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin d'enquête. |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | boîte en carton |
| Délai de livraison: | 3 à 5 jours |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 |
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Détail Infomation |
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| Actuel - collecteur (IC) (maximum): | 100 mA | Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): | 50 V |
|---|---|---|---|
| Résistance - base (R1): | 47 kilohms, 10 kilohms | Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: | 80 @ 5mA, 10V |
| Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: | 250 mV @ 300 μA, 10 mA | Actuel - coupure de collecteur (maximum): | 500nA |
| Puissance - maximum: | 500 MW | Type de montage: | Monture de surface |
Description de produit
Transistor bipolaire pré-biasé EMD4DXV6T1G 1 NPN 1 PNP 50V 100mA 500mW
Les spécifications deLes résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin d'enquête.
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Transistors et appareils électroniques | |
| Bipolaire (BJT) | |
| Arrays de transistors bipolaires, pré-biasés | |
| Mfr | un demi |
| Série | - |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Tape à découper (CT) | |
| Statut du produit | Actif |
| Type de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pré-biasé (double) |
| Courant - collecteur (Ic) (maximum) | 100 mA |
| Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) | 50 V |
| Résistance - Base (R1) | 47 kilohms, 10 kilohms |
| Résistance - Base de l'émetteur (R2) | 47 kOhms |
| Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce saturation (max) @ Ib, Ic | 250 mV @ 300 μA, 10 mA |
| Courant - Coupe du collecteur (maximum) | 500 nA |
| Fréquence - Transition | - |
| Puissance maximale | 500 mW |
| Type de montage | Monture de surface |
| Emballage / boîtier | Les États membres doivent communiquer à l'autorité compétente les informations suivantes: |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le numéro de référence: |
| Numéro du produit de base | EMD4DXV6 |
Caractéristiques duLes résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin d'enquête.
• Simplifie la conception des circuits
• Réduit l'espace du conseil
• Réduit le nombre de composants
• Préfixe NSV pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques en matière de changement de site et de contrôle; AEC-Q101 qualifié et PPAP capable
• Ce sont des dispositifs sans Pb−
Applications deLes résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin d'enquête.
Le BRT (Bias Resistor Transistor) contient un seul transistor avec un réseau de biais monolithique composé de deux résistances; une résistance de base en série et une résistance d'émetteur de base.
Classifications environnementales et d'exportationLes résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin d'enquête.
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Statut REACH | REACH Non affecté |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
