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IRFH3702TRPBF MOSFET IC à canal N 30 V 16A 42A 2,8 W FETs simples MOSFETs 8-PQFN
Détails sur le produit:
| Lieu d'origine: | Original |
| Nom de marque: | original |
| Certification: | original |
| Numéro de modèle: | IRFH3702TRPBF |
Conditions de paiement et expédition:
| Quantité de commande min: | 1 |
|---|---|
| Prix: | negotiation |
| Détails d'emballage: | Boîte de carton |
| Délai de livraison: | 3 à 5 jours |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Capacité d'approvisionnement: | 1000 |
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Détail Infomation |
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| Technologie: | Transistor MOSFET (oxyde de métal) | Vidangez à la tension de source (Vdss): | 30V |
|---|---|---|---|
| Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C: | Le nombre d'étoiles est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement. | Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs: | 7.1mOhm @ 16A, 10V | Identification de Vgs (Th) (maximum) @: | 2.35V @ 25μA |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 14 nC à 4,5 V | Vgs (maximum): | ±20V |
| Surligner: | IRFH3702TRPBF,IC MOSFET à canal N 30 V,Le système d'exploitation de l'IRFH3702TRPBF est un circuit intégré MOSFET |
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Description de produit
IRFH3702TRPBF N-canal 30 V 16A 42A 2,8 W FETs simples MOSFETs 8-PQFN
Le système de détection de l'émission de CO2 doit être conforme à la présente directive.
Les spécifications deLM5116MHX/NOPB
| Le type | Définition |
| Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
| Les FET simples et les MOSFET | |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Série | HEXFET® |
| Le paquet | Tape et bobine (TR) |
| Statut du produit | Pas pour les nouveaux modèles |
| Type de FET | N-canal |
| Technologie | MOSFET (oxyde de métal) |
| Voltage d'évacuation à la source (Vdss) | 30 V |
| Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | Le nombre d'étoiles est calculé en fonction de la fréquence d'écoulement. |
| Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs(th) (maximum) @ Id | 2.35V @ 25μA |
| Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 14 nC @ 4,5 V |
| Vgs (maximum) | ± 20 V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 1510 pF @ 15 V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C à 150°C (TJ) |
| Type de montage | Monture de surface |
| Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Pour les appareils à commande numérique: |
| Emballage / boîtier | 8-PouvoirVDFN |
| Numéro du produit de base | Pour l'utilisation de la méthode IRFH3702 |
Caractéristiques duLM5116MHX/NOPB
RDS bas ((ON)
Charge de passerelle très faible
Basse résistance thermique de jonction au PCB
Voltage et courant d'avalanche complètement caractérisés
Testé à 100% pour le RG
Sans plomb (qualifié jusqu'à 260°C)
Conforme à la réglementation RoHS (sans halogène)
Applications deLM5116MHX/NOPB
Convertisseur de Buck synchrone pour la puissance du processeur informatique
Convertisseurs de courant continu à courant continu isolés pour réseaux et télécommunications
Convertisseurs de boîtes à décodeurs
Classifications environnementales et d'exportationLM5116MHX/NOPB
| Attribut | Définition |
| Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
| Statut REACH | REACH Non affecté |
| Nom de la banque | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
