• CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Monture de surface 3-CPH
CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Monture de surface 3-CPH

CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Monture de surface 3-CPH

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Voltage d'évacuation à la source (Vdss): Pour les appareils électroniques Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C: 700mA (ventres)
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé): 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Pour les appareils à commande numérique:
Vgs(th) (maximum) @ Id: 2.6V @ 1mA Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V
Vgs (maximum): ± 20 V Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds: 142 pF @ 20 V
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CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC

Description de produit

CPH3362-TL-W P-Channel 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Monture de surface 3-CPH

 

Les spécifications deLes produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Les FET, les MOSFET
  Les FET simples et les MOSFET
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de FET P-canal
Technologie MOSFET (oxyde de métal)
Voltage d'évacuation à la source (Vdss) Pour les appareils électroniques
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage.
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1Pour les appareils à commande numérique:
Vgs(th) (maximum) @ Id 2.6V @ 1mA
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs 3.7 nC @ 10 V
Vgs (maximum) ± 20 V
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds 142 pF @ 20 V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur 3-CPH
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Numéro du produit de base Le code de conduite

 
Caractéristiques du Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.


* RDS sur résistance (sur) 1 = 1,3Ω (type) 
* Conformité sans halogène
* Le moteur 4V

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLes produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0095

 

CPH3362-TL-W P-Channel MOSFET IC 100 V 700mA (Ta) 1W (Ta) Monture de surface 3-CPH 0

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