• BC858ALT1G Transistor BJT bipolaire PNP 30 V 100 mA 100 MHz 300 mW SOT-23-3
BC858ALT1G Transistor BJT bipolaire PNP 30 V 100 mA 100 MHz 300 mW SOT-23-3

BC858ALT1G Transistor BJT bipolaire PNP 30 V 100 mA 100 MHz 300 mW SOT-23-3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre de personnes concernées par le traitement est le suivant:

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
meilleur prix Contact

Détail Infomation

Type de transistor: PNP Actuel - collecteur (IC) (maximum): 100 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 30 V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 650mV @ 5mA, 100mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum): 15nA (ICBO) Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Puissance maximale: 300mW Fréquence - transition: 100 MHz
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Transistor BJT bipolaire BC858ALT1G

Description de produit

BC858ALT1G Transistor bipolaire (BJT) PNP 30 V 100 mA 100 MHz 300 mW SOT-23-3

 

Les spécifications deLe nombre de personnes concernées par le traitement est le suivant:

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 100 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 30 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 650mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 125 @ 2mA, 5V
Puissance maximale 300 mW
Fréquence - Transition 100 MHz
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les dispositions de la présente directive.
Numéro du produit de base BC858

 
Caractéristiques du Le nombre de personnes concernées par le traitement est le suivant:


• préfixe S et NSV pour les applications automobiles et autres applications nécessitant des exigences uniques en matière de site et de changement de contrôle;

AEC-Q101 Qualifié et compétent en PPAP
• Ces dispositifs sont exempts de Pb−, d'halogène/de BFR et sont conformes à la directive RoHS

 

 

 

Applications de Le nombre de personnes concernées par le traitement est le suivant:


xx = Code de l'appareil
xx = (voir page 6)
M = Code de la date*
= Paquet sans Pb

 

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLe nombre de personnes concernées par le traitement est le suivant:

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

BC858ALT1G Transistor BJT bipolaire PNP 30 V 100 mA 100 MHz 300 mW SOT-23-3 0

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Merci!
Dans l'attente de votre réponse.