• BC847BDW1T1G Bipolaire BJT Transistor Array 2 NPN (double) 45V 100mA 100MHz 380mW
BC847BDW1T1G Bipolaire BJT Transistor Array 2 NPN (double) 45V 100mA 100MHz 380mW

BC847BDW1T1G Bipolaire BJT Transistor Array 2 NPN (double) 45V 100mA 100MHz 380mW

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: 2 NPN (doubles) Actuel - collecteur (IC) (maximum): 100 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 45V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 600mV @ 5mA, 100mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum): 15nA (ICBO) Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Puissance maximale: 380mW Fréquence - transition: 100 MHz
Surligner:

Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.

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Transistor BJT bipolaire BC847BDW1T1G

Description de produit

BC847BDW1T1G Transistor bipolaire (BJT) Array 2 NPN (double) 45V 100mA 100MHz 380mW

 

Les spécifications deLe nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Arrays de transistors bipolaires
Mfr un demi
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor 2 NPN (double)
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 100 mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 45 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Courant - Coupe du collecteur (maximum) Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Puissance maximale 380 mW
Fréquence - Transition 100 MHz
Température de fonctionnement -55°C à 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respectent les règles en vigueur en ce qui concerne les droits de douane.
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments.
Numéro du produit de base 847 avant JC

 
Caractéristiques du Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.


• les préfixes S et NSV pour les applications automobiles et autres nécessitant des exigences uniques en matière de site et de changement de contrôle;

AEC-Q101 Qualifié et compétent en PPAP
• Ces dispositifs sont exempts de Pb−, d'halogène/de BFR et sont conformes à la directive RoHS*

 

 

Applications de Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.


Ces transistors sont conçus pour les applications d'amplificateurs à usage général.

 

 

 

Classifications environnementales et d'exportationLe nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.21.0075

 

BC847BDW1T1G Bipolaire BJT Transistor Array 2 NPN (double) 45V 100mA 100MHz 380mW 0

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