2SB1182-TL Transistor BJT bipolaire PNP 32 V 2 A 100 MHz 10 W Monture de surface CPT3
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: | Originaux |
Nom de marque: | original |
Certification: | original |
Numéro de modèle: | 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants: |
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: | 1 |
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Prix: | negotiation |
Détails d'emballage: | boîte en carton |
Délai de livraison: | 1 à 3 jours ouvrables |
Conditions de paiement: | T/T |
Capacité d'approvisionnement: | 100,000 |
Détail Infomation |
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Type de transistor: | PNP | Actuel - collecteur (IC) (maximum): | 0.083333333 |
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Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): | 32 V | Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: | 800 mV @ 200 mA, 2A |
Actuel - coupure de collecteur (maximum): | 100nA (ICBO) | Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: | 180 @ 500 mA, 3 V |
Puissance maximale: | 10 W | Fréquence - transition: | 100 MHz |
Surligner: | 2SB1182-TL,qui contient les éléments suivants: |
Description de produit
2SB1182-TL Transistor bipolaire (BJT) PNP 32 V 2 A 100 MHz 10 W Monture de surface CPT3
Les spécifications de 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:
Le type | Définition |
Catégorie | Produits à base de semi-conducteurs discrets |
Transistors et appareils électroniques | |
Bipolaire (BJT) | |
Transistors bipolaires simples | |
Mfr | Semi-conducteurs Rohm |
Série | - |
Le paquet | Tape et bobine (TR) |
Tape à découper (CT) | |
Type de transistor | PNP |
Courant - collecteur (Ic) (maximum) | 0.083333333 |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) | 32 V |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic | 800 mV @ 200 mA, 2A |
Courant - Coupe du collecteur (maximum) | Le nombre de points de contrôle doit être supérieur à 100 nA. |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce | 180 @ 500 mA, 3 V |
Puissance maximale | 10 W |
Fréquence - Transition | 100 MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63 |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le CPT3 |
Numéro du produit de base | 2SB1182 |
Caractéristiques du 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:
1) VCE bas (sat). VCE bas (sat) = 0,5 V (typique) (IC/IB = 0,2 A / 0,2 A)
2) Compléte le 2SD1758 / 2SD1862.
Applications de 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:
* type plané épitaxial
* Transistor au silicium PNP
Classifications environnementales et d'exportation2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:
Attribut | Définition |
Statut de la réglementation RoHS | Conforme à la norme ROHS3 |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (sans limite) |
Statut REACH | REACH Non affecté |
Nom de la banque | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0075 |