• 2SB1182-TL Transistor BJT bipolaire PNP 32 V 2 A 100 MHz 10 W Monture de surface CPT3
2SB1182-TL Transistor BJT bipolaire PNP 32 V 2 A 100 MHz 10 W Monture de surface CPT3

2SB1182-TL Transistor BJT bipolaire PNP 32 V 2 A 100 MHz 10 W Monture de surface CPT3

Détails sur le produit:

Lieu d'origine: Originaux
Nom de marque: original
Certification: original
Numéro de modèle: 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:

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Quantité de commande min: 1
Prix: negotiation
Détails d'emballage: boîte en carton
Délai de livraison: 1 à 3 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
Capacité d'approvisionnement: 100,000
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Détail Infomation

Type de transistor: PNP Actuel - collecteur (IC) (maximum): 0.083333333
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum): 32 V Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC: 800 mV @ 200 mA, 2A
Actuel - coupure de collecteur (maximum): 100nA (ICBO) Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce: 180 @ 500 mA, 3 V
Puissance maximale: 10 W Fréquence - transition: 100 MHz
Surligner:

2SB1182-TL

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qui contient les éléments suivants:

Description de produit

2SB1182-TL Transistor bipolaire (BJT) PNP 32 V 2 A 100 MHz 10 W Monture de surface CPT3

 

Les spécifications de 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:

 

Le type Définition
Catégorie Produits à base de semi-conducteurs discrets
  Transistors et appareils électroniques
  Bipolaire (BJT)
  Transistors bipolaires simples
Mfr Semi-conducteurs Rohm
Série -
Le paquet Tape et bobine (TR)
  Tape à découper (CT)
Type de transistor PNP
Courant - collecteur (Ic) (maximum) 0.083333333
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) 32 V
Vce saturation (max) @ Ib, Ic 800 mV @ 200 mA, 2A
Courant - Coupe du collecteur (maximum) Le nombre de points de contrôle doit être supérieur à 100 nA.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 500 mA, 3 V
Puissance maximale 10 W
Fréquence - Transition 100 MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Monture de surface
Emballage / boîtier TO-252-3, DPak (2 plombs + onglet), SC-63
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur Le CPT3
Numéro du produit de base 2SB1182

 
Caractéristiques du 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:


1) VCE bas (sat). VCE bas (sat) = 0,5 V (typique) (IC/IB = 0,2 A / 0,2 A)
2) Compléte le 2SD1758 / 2SD1862.

 

 

 

Applications de 2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:


* type plané épitaxial
* Transistor au silicium PNP

 

 

Classifications environnementales et d'exportation2SB1182-TL, qui contient les éléments suivants:

 

Attribut Définition
Statut de la réglementation RoHS Conforme à la norme ROHS3
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (sans limite)
Statut REACH REACH Non affecté
Nom de la banque EAR99
HTSUS 8541.29.0075

 

2SB1182-TL Transistor BJT bipolaire PNP 32 V 2 A 100 MHz 10 W Monture de surface CPT3 0

 

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